Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

Мікросхема SE140

38,54 ₴

5000 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Опис

Мікросхема для електронних пристроїв SE140

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Мікросхема 24C128 , smd

В наявності

37,60 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Типпослідовна EEPROM, I2C
Обсяг131 072 біт (16 384 x 8)
Напруга живлення1,7–5,5 В
Частота SCL400 кГц при 1,7 В; 1 МГц при 2,5 В, 2,7 В, 5,0 В
Сторінковий запис64 байт
Час запису5 мс (макс.)
Ресурс запису1 000 000 циклів (25 °C, Page Mode, 3,3 В)
Зберігання даних40 років
ВиконанняSMD

Мікросхема ACT108W-600E ( 108W6E ) оригінал, sot223

В наявності

75,20 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникWeEn Semiconductors
Vdrm600 В (max)
IT(RMS)0,8 А (повна синусоїда, Tsp ≤ 112 °C)
ITSM8,8 А (Tj(init) = 25 °C, tp = 16,7 мс)
IGT1–10 мА (VD = 12 В, IT = 100 мА, Tj = 25 °C)
dV/dt1000 В/мкс (min, VDM = 402 В, Tj = 125 °C)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусSOT-223
СтанОригінал

Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16

В наявності

160,27 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
КорпусSOIC-16 (wide body)
Ізоляція5700 В (RMS), 1 хв, UL1577
Піковий струм (джерело)4 А на кожен вихід
Піковий струм (стік)6 А на кожен вихід
Живлення VDDI3–5,5 В
Живлення VDDA/VDDB7–25 В
Затримка поширення25 нс (тип.)
CMTI150 кВ/мкс (тип.)
Робоча температура-40…125 °C
СтанОригінал

Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16

В наявності

160,27 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
ПризначенняІзольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів
Піковий струм source4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C)
Піковий струм sink6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C)
Напруга VDDA, VDDB9,4–25 В (версія NSI6602B)
Напруга VDDI3–5,5 В
Затримка поширення25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В)
Напруга ізоляції5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577
CMTI150 кВ/мкс (типово)
Температура–40…125 °C
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5