Магазин
Транзистор NCEP85T14 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 85 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 140 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 99 А |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм типово, макс. 4.1 мОм (VGS 10 В, ID 70 А) |
| Заряд затвора Qg | 84 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 5600 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Tj max | 175 °C |
| Час відновлення діода trr | 83 нс типово |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDB8447L оригінал (40V,50A,60W,0.0085R) , D2PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, PowerTrench |
| Напруга стік-витік Vds | 40 В |
| Струм стоку Id (обмеження корпусом) | 50 А при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id (обмеження кремнієм) | 66 А при Tc 25 °C |
| Rds(on) макс. | 8,5 мОм при Vgs 10 В, Id 14 А |
| Rds(on) макс. (Vgs 4,5 В) | 11 мОм при Vgs 4,5 В, Id 11 А |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 60 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST13NM60N ( STF13NM60N , 13NM60N ) оригінал, TO220F
В наявності
91,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | N-канальний MOSFET, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 11 А (TC = 25 °C); 6,93 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,28 Ом тип., 0,36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 В мін., 3 В тип., 4 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±25 В (абсолютний максимум) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 11 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 44 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Ізоляція Viso | 2500 В RMS |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G40N60UFD ( SGH40N60UFD ) оригінал (заміна для FGA40N60UFD ) , TO3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | ±20 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Потужність розсіювання Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,6 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл тип. (Vce 300 В, Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1430 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (CO-PAK), If 15 А (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P75N02LDG оригінал, D-PAK
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга V(BR)DSS | 25 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 75 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 50 А |
| Опір Rds(on) | 5 мОм типово, макс. 7 мОм (VGS 10 В, ID 30 А) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 1840 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 54 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | UNIKC |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGA40N65SMD оригінал демонтаж б/в, TO-3P ( Заміна для FGH40N65UFD , MP40N65BU , MP40N65BH )
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.9 В (тип.), 2.5 В (макс.) |
| Pd (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Реле HF115F-012-1Z1A ( заміна для HF115F-012-1ZS1 , H1CA012V , HLS-14F1L-DC12V-C , JQX-14FB-12VDC-1CS , HK14F-DC12V-SHG )(12А/250VDC) обмотка на 12V , 1 група на перемикання , 28*12*15мм
В наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hongfa |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Опір котушки | 360 Ом (±10 %, при 23 °C) |
| Контакти | 1 група на перемикання |
| Струм контактів | 12 А при 250 VAC, активне навантаження |
| Макс. комутована напруга | 440 VAC / 300 VDC |
| Напруга спрацювання | 8.4 В DC (макс., при 23 °C) |
| Напруга відпускання | 1.2 В DC (мін., при 23 °C) |
| Час спрацювання | 15 мс (макс.) |
| Час відпускання | 8 мс (макс.) |
| Ізоляція котушка–контакти | 5000 В AC, 1 хв |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | PCB, 29 x 12.7 x 15.7 мм |
Реле JV24S-KT ( JV-24S-KT )( заміна для JV24-KT ) 24VDC (5A/250VAC)
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FCL Components (Takamisawa) |
| Конфігурація контакту | 1 Form A (SPST-NO) |
| Напруга котушки | 24 В DC |
| Опір котушки | 2880 Ом ±10% (20 °C) |
| Потужність котушки | 200 мВт (20 °C) |
| Навантаження контакту | 5 А (250VAC/30VDC, резистивне) |
| Максимальна напруга комутації | 250 В AC / 150 В DC |
| Опір контакту | ≤70 мОм (1 А, 6 В DC) |
| Час спрацювання | ≤8 мс |
| Час відпускання | ≤4 мс |
| Механічний ресурс | ≥5×10^6 спрацювань |
| Напруга гарантованого спрацювання | 18.0 В DC (імпульс, 20 °C) |
| Напруга гарантованого відпускання | 1.2 В DC (імпульс, 20 °C) |
| Електрична міцність котушка-контакти | 5000 В AC / 1 хв |
| Робоча температура | -40…+70 °C |
| Розміри | 10.0×17.5×12.5 мм |
| Маса | ≈4.3 г |
Реле BPD-SS-124DM (Заміна для YTA-SS-124DM , SPA-S-124DM , PCD-124D1MH , RE-124DM1 )(16A/250V)
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга котушки | 24 В DC |
| Конфігурація контактів | 1 група на замикання (1A) |
| Струм комутації | 16 А при 250 В AC (активне навантаження) |
| Максимальна комутована потужність | 4000 ВА |
| Матеріал контактів | срібний сплав |
| Опір котушки | 2880 Ом ±10 %, 20 °C |
| Струм котушки | 8,3 мА |
| Потужність котушки | близько 0,2 Вт |
| Напруга спрацювання | не більше 75 % від номінальної |
| Напруга відпускання | не менше 10 % від номінальної |
| Час спрацювання | 10 мс макс. |
| Час відпускання | 5 мс макс. |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | для монтажу на друковану плату, захист від флюсу (SS), 23,1 × 16 × 10,2 мм |
Діод Шоттки SR5150 ( заміна для SB5150 , MBR5150 ) (5A,150V)
В наявності
18,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки одиночний |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 150 В |
| Середній прямий струм | 5 А |
| Пряма напруга Vf | 0,85 В при If = 5 А, Ta = 25 °C |
| Зворотний струм Ir | 0,05 мА при номінальній Vr, Ta = 25 °C |
| Ємність переходу Cj | 350 пФ (тип., 1 МГц, Vr = 4 В) |
| Корпус | DO-201AD |
| Корпус (докладно) | DO-27 (DO-201AD), аксіальний |
Діод Шоттки SR5100 ( SB5100 , MBR5100 ) (5A,100V)
В наявності
14,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки одиночний |
| Корпус | DO-201AD |
| Зворотна напруга VRRM | 100 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 5 А (60 Гц) |
| Ударний струм IFSM | 150 А (8,3 мс) |
| Пряма напруга VF | 0,82 В при IF = 5 А, 25 °C (макс.) |
| Пряма напруга VF (125 °C) | 0,70 В при IF = 5 А, 125 °C (макс.) |
| Зворотний струм IR | 0,5 мА при 25 °C, 20 мА при 125 °C |
| Діапазон Tj | -50…150 °C |
Діод Шоттки SR1640 (16A,40V)
В наявності
23,97 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки |
| Корпус | TO-220 |
| Зворотна напруга VRRM | 40 В |
| Діюча напруга VRMS | 28 В |
| Середній прямий струм I(AV) | 16 А (60 Гц, 25 °C) |
| Ударний струм IFSM | 170 А (8,3 мс) |
| Пряма напруга VF | 0,55 В при IF = 8,0 А (макс.) |
| Ємність переходу Cj | 440 пФ (1 МГц, VR = 4,0 В, типово) |
| Тепловий опір RθJC | 2,5 °C/Вт |
| Діапазон Tj | -65…125 °C |
Діод Шоттки S1045T ( S1045 , STPS1045B , S1045Y , SBR1045CT , SBR1045 )(10A , 45V ), D-PAK
В наявності
71,44 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шоттки одиночний |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Зворотна напруга VRRM | 45 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 10 А при Tc = 151 °C |
| Пряма напруга VF | 0,63 В при IF = 10 А, Tj = 25 °C (макс.) |
| Пряма напруга VF (125 °C) | 0,57 В при IF = 10 А, Tj = 125 °C (макс.) |
| Ударний струм IFSM | 75 А (синусоїда 10 мс) |
| Діапазон Tj | -40…175 °C |
| Тепловий опір RthJC | 3,0 °C/Вт (макс.) |
Діод Шоттки MBRF30100CT , TO220F
В наявності
57,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 100 В (Ta 25 °C) |
| Середній випрямлений струм Io | 15 А на діод / 30 А всього (Ta 25 °C, однофазний напівперіод 60 Гц, активне навантаження) |
| Ударний струм Ifsm | 190 А (8.3 мс, напівсинусоїда, номінальне навантаження) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0.84 В (If 15 А, Tj 25 °C, на діод) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 0.05 мА (Vr 100 В, Tj 25 °C, на діод) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+175 °C |
| Конфігурація | два діоди зі спільним катодом |
| Корпус | TO-220F |
Діод Шоттки MBRF20200CT ( MBRF20U200CT ) , TO220F
В наявності
54,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А на діод / 20 А на корпус (номінальна Vr, Tc 125 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 150 А (напівсинусоїда, 60 Гц, однофазна, номінальне навантаження) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0.9 В (If 10 А, Tc 25 °C, на діод); 0.8 В (If 10 А, Tc 125 °C, на діод) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 1.0 мА (номінальна Vr, Tc 25 °C, на діод) |
| Ємність переходу Ct | 500 пФ (Vr 5 В, Tc 25 °C, 1 МГц, на діод) |
| Температура переходу Tj | -65…+150 °C |
| Конфігурація | два діоди зі спільним катодом (виводи A K A) |
| Корпус | TO-220F |
Діод Шоттки MBRF20100CT ( MBRF20100CTG , MBRF20100 )( заміна для MBR20100FCT , SBD20C100F ) , TO220F
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 100 В |
| Середній прямий струм If(av) | 10 А на діод / 20 А на корпус (номінальна Vr, Tc 133 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 150 А (напівсинусоїда, 60 Гц, однофазна, номінальне навантаження) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0.85 В (If 10 А, Tc 25 °C, на діод); 0.75 В (If 10 А, Tc 125 °C, на діод) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 0.15 мА (номінальна Vr, Tc 25 °C, на діод) |
| Температура переходу Tj | -65…+175 °C |
| Конфігурація | два діоди зі спільним катодом (виводи A K A) |
| Корпус | TO-220F |