Магазин
Транзистор IRLML2803TR , sot23
В наявності
8,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга Vdss | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID | 1,2 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 0,25 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,91 А) |
| Потужність Pd | 540 мВт (TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 85 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
Транзистор HY1908P ( HY1908 ) оригінал,TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 90 А (Tc 25 °C), 64 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 7 мОм тип., до 9 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 45 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Ids 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 185 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLB3034 оригінал, TO220
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, логічний рівень керування (4,5 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID (обмеження кристалом) | 343 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (обмеження корпусом) | 195 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 1,4 мОм тип. / 1,7 макс. (VGS = 10 В, ID = 195 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 10315 пФ |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRL7833 (Заміна для IRL2203N ) оригінал демонтаж(30V,150A,3.8mR), TO220
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C), розрахунковий | 150 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Обмеження струму корпусом | 75 А |
| Rds(on) | 3,1 мОм типово, 3,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А) |
| Vgs(th) | 1,4–2,3 В |
| Qg | 32 нКл типово, 47 нКл макс. (VGS = 4,5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4170 пФ |
| Розсіювана потужність | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор 45N60S1 ( NGTB45N60S1WG )(Заміна для 45N60S2 , NGTB45N60S2WG ) демонтаж б/в, TO247
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | Trench IGBT з діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 90 А |
| Струм Ic (100 °C) | 45 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3115 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Vce(sat) (45 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 2.00 В |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRL3713 оригінал демонтаж(30V,260A) , TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C), розрахунковий | 260 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Обмеження струму корпусом | 75 А |
| Rds(on) | 2,6 мОм типово, 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Qg | 75 нКл типово, 110 нКл макс. (VGS = 4,5 В) |
| Розсіювана потужність | 330 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL2505 оригінал , TO220
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET), логічний рівень |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм Id (25 °C) | 104 А |
| Струм Id (100 °C) | 74 А |
| Опір Rds(on) | 8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 54 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,0 В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл макс. (VGS = 5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±16 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ48V оригінал (60V,72A,150W),TO220(Заміна для IRFZ44V )
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 72 А |
| Струм Id (100 °C) | 51 А |
| Опір Rds(on) | 12 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 43 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 1985 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ48N оригінал (55V,64A,130W,0.014R)
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм Id (25 °C) | 64 А |
| Струм Id (100 °C) | 45 А |
| Опір Rds(on) | 14 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 32 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 81 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ46N оригінал (55V,53A,107W,0.0165R), TO220
В наявності
61,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 53 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 37 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 16,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 72 нКл макс. (ID = 28 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1696 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ44N оригінал (заміна для IRFZ42 , IRFZ40 ) , TO220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 49 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 35 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 17,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 63 нКл макс. (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ34N оригінал (55V,26A,56W,0.04R)
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Струм стоку Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) | 29 А |
| Струм стоку Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) | 20 А |
| Імпульсний струм Idm | 100 А |
| Розсіювана потужність Pd (Tc = 25 °C) | 68 Вт |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 0,040 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 16 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 34 нКл макс. (ID = 16 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ24N оригінал
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vdss | 55 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 17 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 12 А |
| Імпульсний струм Idm | 68 А |
| Rds(on) | 0,07 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А, TJ = 25 °C, макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 45 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Rth(j-c) | 3,3 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFU9024N , I-PAK (55V,11A,38W, 0.175R)
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET P-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 55 В (за модулем, максимум) |
| Струм Id | 11 А (при 25 °C, максимум) |
| Rds(on) | 0,175 Ом (VGS = 10 В, максимум) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (макс., VGS = -10 В, Id = -7,2 А, Vds = -44 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц) |
| Qgd | 10 нКл (макс.) |
| Потужність Pd | 38 Вт (максимум) |
| Tj max | 150 °C |
| Rth(j-c) | 3,3 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | I-PAK (TO-251) |
Транзистор CS150N04 ( CS150N04A8 , 150N04 , FP150N04S , HFP150N04S ) оригінал , TO220(40V,150A)
В наявності
91,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 90 А |
| Імпульсний струм Idm (TC = 25 °C) | 600 А |
| Опір Rds(on) | 4 мОм (тип.), до 4,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 50 А |
| Vgs(th) | 2,0–3,5 В |
| Qg | 160 нКл (тип.) при VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8900 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт (тип.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFR120N ( FR120N ) оригінал, D-PAK
В наявності
32,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 100 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 9,4 А (Vgs 10 В, TC 25 °C) |
| Rds(on) | 0,21 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5,6 А, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 48 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 330 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFPC50 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Напруга Vds | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 11 А (Vgs 10 В, TC 25 °C) |
| Rds(on) | 0,60 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,0 А) |
| Корпус | TO-247 |
| Вхідна ємність Ciss | 2700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFP9240 оригінал (200V,12A,150W,0.5R) , TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | P-канальний MOSFET |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Напруга Vds | -200 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | -12 А (Vgs -10 В, TC 25 °C) |
| Rds(on) | 0,50 Ом макс. (Vgs -10 В, Id -7,2 А) |
| Розсіювана потужність Pd | 150 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2113D , so-16
В наявності
50,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EG Micro |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга плеча VB | 600 В (абсолютний максимум, TA 25 °C) |
| Живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм (джерело) | 2 А |
| Вихідний струм (стік) | 2 А |
| Частота перемикання | до 500 кГц |
| Мертвий час | 130 нс (тип.) |
Транзистор IRFP460 оригінал (заміна для IRFP460A , IRFP460LC , RJK5010 )(500V,20A), TO247
В наявності
143,82 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Канал | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А (Vgs = 10 В, Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 13 А (Vgs = 10 В, Tc = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 80 А |
| Опір Rds(on) | 0.27 Ом (Vgs = 10 В, Id = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 210 нКл макс. (Vgs = 10 В, Id = 20 А, Vds = 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 280 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP450 ( IRFP450A ) оригінал , TO247
В наявності
149,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Канал | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 14 А (Vgs = 10 В, Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 8.7 А (Vgs = 10 В, Tc = 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 56 А |
| Опір Rds(on) | 0.40 Ом (Vgs = 10 В, Id = 8.4 А) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл макс. (Vgs = 10 В, Id = 14 А, Vds = 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 190 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFP360 оригінал демонтаж, TO247
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Vishay |
| Напруга Vds | 400 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 23 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Опір Rds(on) | 0.20 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 14 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg | 210 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт при Tc 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFP260N оригінал , TO247
В наявності
132,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 35 А |
| Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 28 А) | 0.04 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg макс. | 234 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4057 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 300 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Канал | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP250N оригінал (200V,33A) , TO247
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 30 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 21 А |
| Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 18 А) | 0.075 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Qg макс. | 123 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2159 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 214 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Канал | N |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |