Магазин

IRF7319 MOSFET N+P SO-8, фото маркування

Транзистор IRF7319 (30V,6.5A,-4.9A,2W) , so-8

В наявності

39,48 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, комплементарна пара N+P
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SO-8
Напруга Vds (N / P)	30 В / -30 В
Струм Id (N / P)	6.5 А / -4.9 А при TA 25 °C
Імпульсний струм Idm	30 А / -30 А
Rds(on) N-канал	0.023 Ом тип., 0.029 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 5.8 А
Rds(on) P-канал	0.042 Ом тип., 0.058 Ом макс. при Vgs -10 В, Id -4.9 А
Потужність Pd	2.0 Вт при TA 25 °C
Напруга Vgs	±20 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C

IRF730 транзистор TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF730 оригінал (400V,5.5A,100W,0.75R)

В наявності

136,30 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	N-канальний Power MOSFET, 3-го покоління
Виробник	Vishay
Напруга VDS	400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм ID (TC = 25 °C)	5,5 А (VGS = 10 В)
Струм ID (TC = 100 °C)	3,5 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм IDM	22 А
Опір RDS(on)	1,0 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3,3 А)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	74 Вт
Заряд затвора Qg	38 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 3,5 А, VDS = 320 В)
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Напруга VGS	±20 В макс.
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Додати в обране

Транзистор HY3215W ( HY3215 ) (150V,130A) , TO247 оригінал

В наявності

154,63 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	HUAYI
Тип каналу	N
Напруга Vds	150 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	130 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	93 А
Опір Rds(on)	11.5 мОм тип., 14 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3 В мін., 4 В тип., 5 В макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	135 нКл тип. (VDS = 100 В, VGS = 10 В, ID = 30 А)
Вхідна ємність Ciss	5925 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd	349 Вт (Tc 25 °C)
Корпус	TO-247
Діапазон температур зберігання Tstg	–55…175 °C
Стан	Оригінал

IRF640N транзистор TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF640N оригінал (200V,18A,125W)

В наявності

56,40 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET 5-го покоління
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга V(BR)DSS	200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм ID (TC = 25 °C)	18 А (VGS = 10 В)
Струм ID (TC = 100 °C)	13 А (VGS = 10 В)
Опір RDS(on)	0,15 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 11 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	67 нКл макс. (ID = 11 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Напруга VGS	±20 В макс.
Потужність Pd (TC = 25 °C)	150 Вт
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF630N польовий транзистор, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF630N оригінал (200V,9A,0.4R,88W)

В наявності

39,95 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	200 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = 10 В)	9,3 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = 10 В)	6,5 А
Імпульсний струм Idm	37 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 5,4 А)	0,30 Ом (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	82 Вт
Корпус	TO-220
Вхідна ємність Ciss	575 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRF530N польовий транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF530N оригінал (100V,14A,88W) , TO220

В наявності

42,30 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	100 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	17 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 9,0 А)	90 мОм (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	70 Вт
Корпус	TO-220
Вхідна ємність Ciss	920 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRF5210 польовий транзистор TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF5210 оригінал (100V,40A,200W,0.06R) , TO220

В наявності

71,44 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vdss	-100 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = -10 В)	-40 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = -10 В)	-29 А
Rds(on) (VGS = -10 В, ID = -24 А)	0,06 Ом (макс.)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	200 Вт
Вхідна ємність Ciss	2700 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF520N IRF520 MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF520 ( IRF520N ) оригінал

В наявності

42,30 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET 5-го покоління
Напруга Vds	100 В
Струм Id (25 °C)	9,7 А
Струм Id (100 °C)	6,8 А
Rds(on)	0,20 Ом (VGS = 10 В, ID = 5,7 А, макс.)
Pd	48 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	330 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Додати в обране

Транзистор IRF510 оригінал

В наявності

44,65 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Напруга Vds	100 В
Струм Id (25 °C)	5,6 А
Струм Id (100 °C)	4,0 А
Rds(on)	0,54 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,4 А, макс.)
Pd	43 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	180 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF4905 P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF4905 оригінал (55V,74A,200W,0.02R) , TO220

В наявності

94,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Напруга Vds	–55 В (Ta 25 °C)
Струм стоку Id	–74 А (безперервний, Ta 25 °C)
Опір Rds(on)	0.02 Ом (Vgs –10 В, Id –38 А)
Порогова напруга Vgs(th)	–2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Тип каналу	P
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Додати в обране

Транзистор IRF3710 оригінал (100V,57A)

В наявності

117,50 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET
Напруга Vds	100 В
Струм Id (25 °C)	57 А
Струм Id (100 °C)	40 А
Rds(on)	23 мОм (VGS = 10 В, ID = 28 А, макс.)
Pd	200 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	3130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF3704 MOSFET TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF3704 оригінал

В наявності

52,17 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	International Rectifier
Напруга Vds	20 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	77 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 70 °C)	64 А (VGS = 10 В)
Опір Rds(on)	6.3 мОм тип., 9.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 15 А)
Опір Rds(on) при 4.5 В	9.8 мОм тип., 13.5 мОм макс. (VGS = 4.5 В, ID = 12 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1.0 В мін., 3.0 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	19 нКл тип. (VDS = 10 В, VGS = 4.5 В, ID = 28.4 А)
Вхідна ємність Ciss	1996 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd	87 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF3205 транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220

В наявності

58,28 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	TO-220
Напруга V(BR)DSS	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм ID при 25 °C	110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм ID при 100 °C	80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір RDS(on)	8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга VGS	±20 В макс.
Температура переходу	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

IRF2807 транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF2807 оригінал (75V,82A,230W,0.013R)

В наявності

94,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал (HEXFET)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	TO-220
Напруга V(BR)DSS	75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм ID при 25 °C	82 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм ID при 100 °C	58 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір RDS(on)	13 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 43 А)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	160 нКл макс. (ID = 43 А, VDS = 60 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	3820 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга VGS	±20 В макс.
Температура переходу	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

IRF1407 транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF1407 оригінал (75V;130A;330W,0.0078R)(Заміна для DH3205A ),TO220

В наявності

94,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Напруга стік-витік V(BR)DSS	75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	130 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А)
Струм стоку Id (TC = 100 °C)	92 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм стоку	520 А
Rds(on)	7.8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 78 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	160 нКл, макс. 250 нКл (ID = 78 А, VDS = 60 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	5600 пФ (Vds 25 В)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність Pd	330 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор-витік	±20 В
Напруга вбудованого діода Vsd	1.3 В макс. (Tj 25 °C, IS = 78 А, VGS = 0 В)
Час зворотного відновлення діода trr	110 нс, макс. 170 нс (Tj 25 °C, IF = 78 А, di/dt = 100 А/мкс)
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF1405 транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF1405 оригінал (55V;169A;330W,0.0053R)

В наявності

94,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Напруга стік-витік V(BR)DSS	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	169 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А)
Струм стоку Id (TC = 100 °C)	118 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм стоку	680 А
Rds(on)	5.3 мОм макс., типово 4.6 мОм (VGS = 10 В, ID = 101 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	170 нКл, макс. 260 нКл (ID = 101 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	5480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність Pd	330 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор-витік	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF1404 транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRF1404 оригінал, TO220

В наявності

66,27 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Напруга Vds	40 В
Струм ID (TC = 25 °C, VGS = 10 В)	202 А
Струм ID (TC = 100 °C, VGS = 10 В)	143 А
Імпульсний струм IDM	808 А
RDS(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 121 А)	0,004 Ом (тип. 0,0035)
Порогова напруга VGS(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	131 нКл (макс. 196)
Вхідна ємність Ciss	5669 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність PD (TC = 25 °C)	333 Вт
Напруга затвор-витік VGS	±20 В
Енергія лавини EAS	620 мДж
Температура переходу	-55…+175 °C
Тепловий опір перехід-корпус макс.	0,45 °C/Вт
Корпус	TO-220
Тип	N-канал, HEXFET 7-го покоління
Стан	Оригінал

IRF1010E транзистор TO-220, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор IRF1010E (Заміна для IRF1010N ) оригінал демонтаж(60V,84A)

В наявності

37,13 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Напруга Vds	60 В
Струм ID (TC = 25 °C, VGS = 10 В)	84 А (обмеження корпусом 75 А)
Струм ID (TC = 100 °C, VGS = 10 В)	59 А
Імпульсний струм IDM	330 А
RDS(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А)	12 мОм
Потужність PD (TC = 25 °C)	200 Вт
Вхідна ємність Ciss	3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік VGS	±20 В
Температура переходу	-55…+175 °C
Тепловий опір перехід-корпус макс.	0,75 °C/Вт
Корпус	TO-220
Тип	N-канал, HEXFET 5-го покоління
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор MDF9N50 оригінал демонтаж (заміна для FQPF9N50C , FQPF9N50CF , 9N50 , FQPF5N50C , 5N50C ), TO220F

В наявності

173,90 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	MagnaChip
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	9.0 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	5.5 А
Опір Rds(on)	0.72 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	19 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 9.0 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd	38 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SVF7N65F MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор SVF7N65F ( FQPF7N65C ) оригінал , TO220F

В наявності

79,90 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Напруга Vdss	650 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.)
Струм Id (25 °C)	7 А
Струм Id (100 °C)	4.2 А
Rds(on)	1.4 Ом макс., 1.2 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 3.5 А)
Заряд затвора Qg	28 нКл тип., 36 нКл макс. (Vds = 520 В, Id = 7 А, Vgs = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Vgss	±30 В
Потужність Pd	52 Вт (25 °C)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

FQPF4N90C MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор FQPF4N90C оригінал, TO220F

В наявності

88,83 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Напруга Vdss	900 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.)
Струм Id (25 °C)	4 А
Струм Id (100 °C)	2.3 А
Rds(on)	4.2 Ом макс., 3.5 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 2 А)
Заряд затвора Qg	17 нКл тип., 22 нКл макс. (Vds = 720 В, Id = 4 А, Vgs = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Vgss	±30 В
Потужність Pd	47 Вт (25 °C)
Корпус	TO-220F
Виробник	onsemi (ex Fairchild)
Робоча температура переходу і зберігання	-55…+150 °C
Стан	Оригінал

FDPF18N50 MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор FDPF18N50 оригінал ( заміна для FQPF18N50 ) , TO220F

В наявності

164,50 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	onsemi (Fairchild)
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	500 В
Струм Id	18 А (Tc 25 °C), 10.8 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0.220 Ом тип. / 0.265 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 9 А)
Заряд затвора Qg	45 нКл тип. / 60 нКл макс. (Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність Pd	58 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

TSF13N50M MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор TSF13N50M оригінал ( TSF13N50 , FQPF13N50C , NS13N50C , STF13NK50Z , SVF13N50F , MDF13N50B , STP12NM50FP , STF12NM50N , MDF12N50F , FQPF11N50CF , 12N50E , FMV12N50E ), TO220F

В наявності

173,90 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Truesemi
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	500 В (Tj 25 °C)
Струм Id	13 А (Tc 25 °C), 8 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0.40 Ом тип. / 0.48 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Заряд затвора Qg	45 нКл тип. (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність Pd	48 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

FHF10N60 MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор FHF10N60 оригінал ( Заміна для FQPF10N60C , FDPF10N60NZ , TMPF10N60 , RS10N60F , TSF10N60M , TF10N60 , AOTF10N60 , HM10N60F , 10NM60N , STP10NM60N , STF10NM60N , IPA50R800CE , 2SK2645 ), TO220F

В наявності

70,50 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	FeiHong
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	600 В (Tc 25 °C)
Струм Id	10 А (Tc 25 °C), 6.2 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0.68 Ом тип., 0.85 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5 А)
Qg	37.2 нКл тип. (Vds 480 В, Id 5 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Id 250 мкА)
Потужність Pd	50 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Стан	Оригінал

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин