Магазин
Транзистор IRF7319 (30V,6.5A,-4.9A,2W) , so-8
В наявності
39,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, комплементарна пара N+P |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds (N / P) | 30 В / -30 В |
| Струм Id (N / P) | 6.5 А / -4.9 А при TA 25 °C |
| Імпульсний струм Idm | 30 А / -30 А |
| Rds(on) N-канал | 0.023 Ом тип., 0.029 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 5.8 А |
| Rds(on) P-канал | 0.042 Ом тип., 0.058 Ом макс. при Vgs -10 В, Id -4.9 А |
| Потужність Pd | 2.0 Вт при TA 25 °C |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
Транзистор IRF730 оригінал (400V,5.5A,100W,0.75R)
В наявності
136,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний Power MOSFET, 3-го покоління |
| Виробник | Vishay |
| Напруга VDS | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 5,5 А (VGS = 10 В) |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 3,5 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм IDM | 22 А |
| Опір RDS(on) | 1,0 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3,3 А) |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 74 Вт |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 3,5 А, VDS = 320 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY3215W ( HY3215 ) (150V,130A) , TO247 оригінал
В наявності
154,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 150 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 130 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) | 11.5 мОм тип., 14 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В мін., 4 В тип., 5 В макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл тип. (VDS = 100 В, VGS = 10 В, ID = 30 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5925 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 349 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Діапазон температур зберігання Tstg | –55…175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF640N оригінал (200V,18A,125W)
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET 5-го покоління |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга V(BR)DSS | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм ID (TC = 25 °C) | 18 А (VGS = 10 В) |
| Струм ID (TC = 100 °C) | 13 А (VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 0,15 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 11 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл макс. (ID = 11 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 150 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF630N оригінал (200V,9A,0.4R,88W)
В наявності
39,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 200 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = 10 В) | 9,3 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = 10 В) | 6,5 А |
| Імпульсний струм Idm | 37 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 5,4 А) | 0,30 Ом (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 82 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Вхідна ємність Ciss | 575 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF530N оригінал (100V,14A,88W) , TO220
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 17 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 9,0 А) | 90 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 70 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Вхідна ємність Ciss | 920 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF5210 оригінал (100V,40A,200W,0.06R) , TO220
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vdss | -100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = -10 В) | -40 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = -10 В) | -29 А |
| Rds(on) (VGS = -10 В, ID = -24 А) | 0,06 Ом (макс.) |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 200 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2700 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF520 ( IRF520N ) оригінал
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET 5-го покоління |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (25 °C) | 9,7 А |
| Струм Id (100 °C) | 6,8 А |
| Rds(on) | 0,20 Ом (VGS = 10 В, ID = 5,7 А, макс.) |
| Pd | 48 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 330 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF510 оригінал
В наявності
44,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (25 °C) | 5,6 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,54 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,4 А, макс.) |
| Pd | 43 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 180 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF4905 оригінал (55V,74A,200W,0.02R) , TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | –55 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | –74 А (безперервний, Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.02 Ом (Vgs –10 В, Id –38 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | –2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тип каналу | P |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3710 оригінал (100V,57A)
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (25 °C) | 57 А |
| Струм Id (100 °C) | 40 А |
| Rds(on) | 23 мОм (VGS = 10 В, ID = 28 А, макс.) |
| Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3704 оригінал
В наявності
52,17 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Напруга Vds | 20 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 77 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (Tc 70 °C) | 64 А (VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм тип., 9.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 15 А) |
| Опір Rds(on) при 4.5 В | 9.8 мОм тип., 13.5 мОм макс. (VGS = 4.5 В, ID = 12 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0 В мін., 3.0 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VDS = 10 В, VGS = 4.5 В, ID = 28.4 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1996 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 87 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220
В наявності
58,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF2807 оригінал (75V,82A,230W,0.013R)
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 82 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 58 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 13 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 43 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл макс. (ID = 43 А, VDS = 60 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3820 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1407 оригінал (75V;130A;330W,0.0078R)(Заміна для DH3205A ),TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 130 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 92 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм стоку | 520 А |
| Rds(on) | 7.8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 78 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл, макс. 250 нКл (ID = 78 А, VDS = 60 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5600 пФ (Vds 25 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 330 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Напруга вбудованого діода Vsd | 1.3 В макс. (Tj 25 °C, IS = 78 А, VGS = 0 В) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 110 нс, макс. 170 нс (Tj 25 °C, IF = 78 А, di/dt = 100 А/мкс) |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1405 оригінал (55V;169A;330W,0.0053R)
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 169 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 118 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм стоку | 680 А |
| Rds(on) | 5.3 мОм макс., типово 4.6 мОм (VGS = 10 В, ID = 101 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл, макс. 260 нКл (ID = 101 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 330 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1404 оригінал, TO220
В наявності
66,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID (TC = 25 °C, VGS = 10 В) | 202 А |
| Струм ID (TC = 100 °C, VGS = 10 В) | 143 А |
| Імпульсний струм IDM | 808 А |
| RDS(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 121 А) | 0,004 Ом (тип. 0,0035) |
| Порогова напруга VGS(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 131 нКл (макс. 196) |
| Вхідна ємність Ciss | 5669 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC = 25 °C) | 333 Вт |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В |
| Енергія лавини EAS | 620 мДж |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус макс. | 0,45 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Тип | N-канал, HEXFET 7-го покоління |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRF1010E (Заміна для IRF1010N ) оригінал демонтаж(60V,84A)
В наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм ID (TC = 25 °C, VGS = 10 В) | 84 А (обмеження корпусом 75 А) |
| Струм ID (TC = 100 °C, VGS = 10 В) | 59 А |
| Імпульсний струм IDM | 330 А |
| RDS(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 12 мОм |
| Потужність PD (TC = 25 °C) | 200 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус макс. | 0,75 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Тип | N-канал, HEXFET 5-го покоління |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор MDF9N50 оригінал демонтаж (заміна для FQPF9N50C , FQPF9N50CF , 9N50 , FQPF5N50C , 5N50C ), TO220F
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 9.0 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 5.5 А |
| Опір Rds(on) | 0.72 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 9.0 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 38 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF7N65F ( FQPF7N65C ) оригінал , TO220F
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 650 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 7 А |
| Струм Id (100 °C) | 4.2 А |
| Rds(on) | 1.4 Ом макс., 1.2 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 3.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл тип., 36 нКл макс. (Vds = 520 В, Id = 7 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Vgss | ±30 В |
| Потужність Pd | 52 Вт (25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF4N90C оригінал, TO220F
В наявності
88,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 900 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 4 А |
| Струм Id (100 °C) | 2.3 А |
| Rds(on) | 4.2 Ом макс., 3.5 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип., 22 нКл макс. (Vds = 720 В, Id = 4 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Vgss | ±30 В |
| Потужність Pd | 47 Вт (25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | onsemi (ex Fairchild) |
| Робоча температура переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF18N50 оригінал ( заміна для FQPF18N50 ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 18 А (Tc 25 °C), 10.8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.220 Ом тип. / 0.265 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. / 60 нКл макс. (Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 58 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSF13N50M оригінал ( TSF13N50 , FQPF13N50C , NS13N50C , STF13NK50Z , SVF13N50F , MDF13N50B , STP12NM50FP , STF12NM50N , MDF12N50F , FQPF11N50CF , 12N50E , FMV12N50E ), TO220F
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.40 Ом тип. / 0.48 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF10N60 оригінал ( Заміна для FQPF10N60C , FDPF10N60NZ , TMPF10N60 , RS10N60F , TSF10N60M , TF10N60 , AOTF10N60 , HM10N60F , 10NM60N , STP10NM60N , STF10NM60N , IPA50R800CE , 2SK2645 ), TO220F
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | FeiHong |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 10 А (Tc 25 °C), 6.2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.68 Ом тип., 0.85 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5 А) |
| Qg | 37.2 нКл тип. (Vds 480 В, Id 5 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |