Магазин
Транзистор BD675A
Немає в наявності
16,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Напруга Vceo(sus) | 45 В (Ic 50 мА, Ib = 0) |
| Струм колектора Ic | 4 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 750 (мін., Ic 2 А, Vce 3 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.8 В (макс., Ic 2 А, Ib 40 мА) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD647F (n-p-n,сост-й,80V,8A,62.5W)
Немає в наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон (комплементарний до BD648F) |
| Напруга Vceo | 80 В (IB = 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора | 12 А |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 750 (мін., Ic 3 А, Vce 3 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.0 В (макс., Ic 3 А, Ib 12 мА) |
Транзистор BD438 (p-n-p 45V,4A,36W)
Немає в наявності
18,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -45 В (IB = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -45 В (IE = 0) |
| Струм колектора Ic | -4 А (постійний) |
| Імпульсний струм колектора Icm | -7 А (t ≤ 10 мс) |
| Потужність розсіювання Pd | 36 Вт (Tc ≤ 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. -0.6 В (Ic = -2 А, Ib = -0.2 А) |
| Гранична частота fT | мін. 3 МГц (Ic = -250 мА, Vce = -1 В) |
Транзистор BD243C , TO220
Немає в наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 100 В (мін., Ic 30 мА, Ib = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 110 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 6 А (постійний; імпульс Icm 10 А) |
| Потужність розсіювання Pc | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 30 (Ic 0,3 А, Vce 4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 1,5 В (Ic 6 А, Ib 1 А) |
| Напруга база–емітер Vbe(on) | макс. 2,0 В (Ic 6 А, Vce 4 В) |
| Гранична частота fT | мін. 3,0 МГц (Ic 0,5 А, Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | макс. 1,92 °C/Вт |
Транзистор BD237
Немає в наявності
9,87 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В (Ib = 0) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 100 В (Ie = 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (Ic = 0) |
| Струм колектора Ic | 2 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Ptot | 25 Вт (Tcase 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | мін. 40 (Ic 150 мА, Vce 2 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 0,6 В (Ic 1 А, Ib 0,1 А) |
| Напруга база–емітер Vbe(on) | макс. 1,3 В (Ic 1 А, Vce 2 В) |
Транзистор BC857C , sot23
Немає в наявності
1,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -45 В (BC857, Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -50 В (BC857, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (BC857, Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 350 мВт (Ta 25 °C, корпус на кераміці Al2O3 10×8×0,6 мм) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група C) | 420–800 (Vce -5 В, Ic -2 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,3 В макс. (Ic -10 мА, Ib -0,5 мА) |
| Гранична частота fT | 150 МГц тип. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 4,5 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Коефіцієнт шуму NF | 2,0 дБ тип. (Vce -6 В, Ic -0,2 мА, Rg 2 кОм, f 1 кГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BC848B (30V,0.1A,0.31W , n-p-n) , sot23
Немає в наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 30 В (BC848, Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 30 В (BC848, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (BC848, Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (DC; імпульс Icp 200 мА; Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група B) | 200–450 (Vce 5 В, Ic 2 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,25 В макс. (Ic 10 мА, Ib 0,5 мА) |
| Гранична частота fT | 300 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 2,5 пФ тип. (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Коефіцієнт шуму NF | 1,0 дБ тип. (Vce 6 В, Ic 0,1 мА, Rg 10 кОм, f 1 кГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BC807-40 (45V,0.8A,0.35W) pnp , sot23
Немає в наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -45 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -800 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 350 мВт (Ta 25 °C, корпус на кераміці Al2O3 10×8×0,6 мм) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група -40) | 250–630 (Vce -1 В, Ic -100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0,7 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
| Гранична частота fT | 80 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 100 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 9 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BC560C , to92
Немає в наявності
1,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -45 В (для BC557/560) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -50 В (для BC557/560) |
| Струм колектора Ic (постійний) | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група C) | 420–800 (Vce -5 В, Ic 2 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -250 мВ тип., -650 мВ макс. (Ic -100 мА, Ib -5 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | -900 мВ тип. (Ic -100 мА, Ib -5 мА) |
| Потужність розсіювання Pc | 500 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц тип. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 10 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 6 пФ тип. (Vcb -10 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC558B , to92
Немає в наявності
3,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo (BC558) | 30 В (TA 25 °C, база розімкнена) |
| Напруга колектор–база Vcbo (BC558) | 30 В (TA 25 °C, емітер розімкнений) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 100 мА (TA 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 200 мА (TA 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 500 мВт (TA 25 °C) |
| hFE (група B) | 200…450 (VCE -5 В, IC -2 мА, Tj 25 °C) |
| Гранична частота fT | 150 МГц (типове, VCE -5 В, IC -10 мА, f 100 МГц) |
| Коефіцієнт шуму F | 2 дБ тип., 10 дБ макс. (VCE -5 В, IC -200 мкА, RG 2 кОм, f 1 кГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC368
Немає в наявності
5,17 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 20 В (Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 25 В (Ic 0,1 мА, Ie 0) |
| Струм колектора Ic | 1 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 0,625 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (1) | 85–375 (Vce 1 В, Ic 0,5 А) |
| hFE (3) | 60 мін. (Vce 1 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В макс. (Ic 1 А, Ib 0,1 А) |
| Гранична частота fT | 65 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 35 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC337-40 , to92
Немає в наявності
3,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 45 В (Ic 10 мА, Ib 0; для BC337) |
| Напруга Vcbo | 50 В (Ic 100 мкА, Ie 0; для BC337) |
| Струм колектора Ic | 800 мА (постійний, Tamb 25 °C) |
| Потужність Pd | 625 мВт (Tamb 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група -40) | 250–630 (Vce 1 В, Ic 100 мА) |
| hFE (2) | 60 мін. (Vce 1 В, Ic 300 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,7 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 210 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC337-25 , to92
Немає в наявності
3,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 50 В (BC337, Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 45 В (BC337, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 800 мА (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE (група -25) | 160–400 (Vce 1 В, Ic 100 мА, Ta 25 °C) |
| hFE (2) | 60 мін. (Vce 1 В, Ic 300 мА, Ta 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.7 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА, Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 210 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц, Ta 25 °C) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ тип. (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц, Ta 25 °C) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор BC327-25 , to92
Немає в наявності
18,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vceo | -45 В (база розімкнена, Ta 25 °C) |
| Напруга Vces | -50 В (E–B закорочений, Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -800 мА (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | -1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Ptot | 625 мВт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 160–400 (Vce -1 В, Ic -100 мА, Tj 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.7 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА, Tj 25 °C) |
| Гранична частота fT | 100 МГц типово (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 50 МГц, Tj 25 °C) |
Транзистор 2SD669AL (2SD669AC )
Немає в наявності
9,87 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Напруга Vcbo | 200 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 170 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6.5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 1 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 100–320 (Vce 5 В, Ic 0.15 А, Ta 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.9 В макс. (Ic 0.5 А, Ib 0.05 А, Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 140 МГц типово (Vce 5 В, Ic 150 мА, Ta 25 °C) |
| Ємність Cob | 14 пФ типово (Vcb 10 В, f 1 МГц, Ta 25 °C) |
Транзистор 2SD5703 ( KSD5703 ) оригінал
Немає в наявності
64,86 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-3PML |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 10 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 30 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5.0 В макс. (Ic 8 А, Ib 1.6 А, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–40 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 0.3 мкс макс. (Ic 6 А, Ib1 1.2 А, Ib2 -2.4 А, Rl 33.3 Ом, Vcc 200 В, Tc 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2599
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 3,5 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 7 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8–25 (Vce 5 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В тип., 8 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,8 А) |
| Гранична частота fT | 3 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор 2SD2578 оригінал
Немає в наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Sanyo |
| Корпус | TO-3PML |
| Напруга Vceo | 800 В (мін. при Ic = 100 мА, Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Ta 25 °C; імпульсний Icp 20 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–30 (Vce = 5 В, Ic = 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В (макс., Ic = 5 А, Ib = 1 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В (макс., Ic = 5 А, Ib = 1 А) |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс (макс., Ic = 4 А, Ib1 = 0,8 А, Ib2 = –1,6 А) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SD2560+2SB1647 оригінали демонтаж
Немає в наявності
143,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Darlington (2SD2560) |
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vceo | 150 В (мін. при Ic = 30 мА) |
| Напруга Vcbo | 150 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 15 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 5000 (мін., Vce = 4 В, Ic = 10 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,5 В (макс., Ic = 10 А, Ib = 10 мА) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 70 МГц (тип., Vce = 12 В, Ie = –2 А) |
| Вихідна ємність Cob | 120 пФ (тип., Vcb = 10 В, f = 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD2553 оригінал
Немає в наявності
45,12 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор-база Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер-база Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (DC, Tc 25 °C; імпульсний Icp 16 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8–28 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,2 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А) |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | 2,0 В макс. (If 8 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Вихідна ємність Cob | 155 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SD2499 оригінал демонтаж
Немає в наявності
64,39 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга колектор-база Vcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга емітер-база Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (DC, Tc 25 °C; імпульсний Icp 12 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,3 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Пряма напруга демпферного діода Vf | 2,0 В макс. (If 6 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 2 МГц (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Вихідна ємність Cob | 95 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD2396 (60V,3A),TO220F
Немає в наявності
48,41 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, Дарлінгтон |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 60 В (Ic 1 мА, Ib 0) |
| Напруга колектор-база Vcbo | 80 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер-база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 3 А (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 400–2000 (Vce 4 В, Ic 0,5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,8 В макс. (Ic 2 А, Ib 50 мА) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В макс. (Ic 2 А, Ib 50 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 2 Вт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT | 40 МГц (Vce 5 В, Ic 0,2 А, f 10 МГц) |
| Вихідна ємність Cob | 55 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SD2333
Немає в наявності
71,91 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 1500 В |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 600 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Струм бази Ib | 2,5 А (постійний) |
| Потужність розсіювання Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 8–30 (Ic 0,5 А, Vce 5 В) |
| Пряма напруга демпферного діода Vecf | 2,0 В макс. (If 5 А) |
| Час спаду tf | 1,0 мкс макс. (Icp 4 А, Ib1(end) 0,8 А) |
| Вбудований демпферний діод | є |