Закрити

Магазин

Показано 4849–4872 із 6336Сортовано за останнім

Фільтри
Показати 20 40 80
IRFR9024N MOSFET D-PAK, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRFR9024N , D-PAK (55V,11A,38W, 0.175R)

Немає в наявності

34,78 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds–55 В (Vgs 0 В, Id –250 мкА)
Струм Id (25 °C)–11 А (TC 25 °C, Vgs –10 В)
Струм Id (100 °C)–8 А (TC 100 °C, Vgs –10 В)
Опір Rds(on)0.175 Ом макс. (Vgs –10 В, Id –6.6 А)
Порогова напруга Vgs(th)–2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА)
Напруга Vgs±20 В макс.
Заряд затвора Qg19 нКл макс. (Id –7.2 А, Vds –44 В, Vgs –10 В)
Потужність Pd38 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
Тип каналуP
Вбудований діодє (Vsd макс. –1.6 В при Is –7.2 А)
IRFR024N MOSFET D-PAK, фото маркування
Демонтаж
Додати в обране

Транзистор IRFR024N ( IRFR024 ) (55V,17A,45W,0.075R) D-PAK демонтаж

Немає в наявності

16,45 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds55 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)17 А (TC 25 °C, Vgs 10 В)
Струм Id (100 °C)12 А (TC 100 °C, Vgs 10 В)
Опір Rds(on)0.075 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Напруга Vgs±20 В макс.
Заряд затвора Qg20 нКл макс. (Id 10 А, Vds 44 В, Vgs 10 В)
Потужність Pd45 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
Тип каналуN
СтанДемонтаж б/в
IRFL210 MOSFET SOT-223, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRFL210 (200V;0.96A;3.1W;1,5 Ohm) , SOT-223

Немає в наявності

23,03 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id (25 °C)0.96 А (TC 25 °C, VGS 10 В)
Струм Id (100 °C)0.6 А (TC 100 °C, VGS 10 В)
Rds(on)1.5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 0.58 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Напруга затвор–витік Vgs±20 В (макс.)
Qg8.2 нКл (макс.) при VGS = 10 В, ID = 3.3 А, VDS = 160 В
Потужність Pd3.1 Вт (TC 25 °C; 2.0 Вт при монтажі на плату, TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусSOT-223
ВиробникVishay
IRFL024N MOSFET SOT-223, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRFL024N , sot223

Немає в наявності

21,15 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал (HEXFET)
Напруга Vds55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id (25 °C)4.0 А (TA 25 °C, VGS 10 В, плата 1 кв. дюйм міді)
Струм Id (мінімальна площадка)2.8 А (TA 25 °C, VGS 10 В)
Струм Id (70 °C)2.3 А (TA 70 °C, VGS 10 В, мінімальна площадка FR-4)
Rds(on)0.075 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 2.8 А, Tj 25 °C
Vgs(th)2.0–4.0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Напруга затвор–витік Vgs±20 В (макс.)
Qg18.3 нКл (макс.) при ID = 1.68 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В
Потужність Pd2.1 Вт (TA 25 °C, плата 1 кв. дюйм міді)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусSOT-223
ВиробникInternational Rectifier
IRF820 MOSFET TO-220AB, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF820 оригінал

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (Tj від 25 до 125 °C)
Струм Id (25 °C)2.5 А (Tc 25 °C)
Rds(on)3.0 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 1.4 А, Tc 25 °C (тип. 2.5 Ом)
Vgs(th)2.0–4.0 В при Id 250 мкА
Qg12 нКл (тип., макс. 19) при Vgs 10 В, Id 2.5 А, Vds 0.8 × Vdss
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
ВиробникIntersil
СтанОригінал
IRF7424 P-канальний MOSFET SOP-8, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF7424 (30V,11A,0.0135R) , so-8

Немає в наявності

31,49 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуP-канал
Напруга Vds-30 В
Струм стоку Id (TA 25 °C, Vgs -10 В)-12 А
Струм стоку Id (TA 70 °C, Vgs -10 В)-9.1 А
Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -10 А, Tj 25 °C)15 мОм
Rds(on) макс. (Vgs -4.5 В, Id -5 А, Tj 25 °C)24 мОм
Порогова напруга Vgs(th)-1.6 В (тип.; від -1.0 до -2.5; Vds = Vgs, Id -250 мкА)
Заряд затвора Qg22 нКл (тип.; Vds -15 В, Id -5 А, Vgs -10 В)
Розсіювана потужність Pd2.5 Вт (TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусSO-8
IRF7328 здвоєний P-канальний MOSFET SOP-8, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF7328 (30V,8A,2W,0.021R) , so-8

Немає в наявності

43,71 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналу2 × P-канал (здвоєний)
Напруга Vds-30 В
Струм стоку Id (TA 25 °C)-8 А
Струм стоку Id (TA 100 °C)-5.8 А
Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -8 А, TA 25 °C)16 мОм
Rds(on) макс. (Vgs -4.5 В, Id -5.6 А, TA 25 °C)25 мОм
Порогова напруга Vgs(th)-1.65 В (тип.; від -1 до -2.5; Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg26 нКл (тип.; Vgs -10 В, Vds -15 В, Id -8 А)
Час зворотного відновлення діода trr16.3 нс (тип.; Isd -8 А, dIsd/dt 100 А/мкс)
Розсіювана потужність Pd2.5 Вт (TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусSO-8
IRF7316 здвоєний P-канальний MOSFET SO-8, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF7316 (30V,4.9A,2W,0.058R) , so-8

Немає в наявності

26,79 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналу2 × P-канал (здвоєний)
Напруга Vds-30 В
Струм стоку Id (TA 25 °C)-4.9 А
Струм стоку Id (TA 70 °C)-3.9 А
Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -4.9 А, Tj 25 °C)0.058 Ом
Rds(on) макс. (Vgs -4.5 В, Id -3.6 А, Tj 25 °C)0.098 Ом
Порогова напруга Vgs(th) мін.-1.0 В (Vds = Vgs, Id -250 мкА)
Заряд затвора Qg23 нКл (тип.; Id -4.9 А, Vds -15 В, Vgs -10 В)
Розсіювана потужність Pd2.0 Вт (TA 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусSO-8
ВиробникInfineon (International Rectifier)
IRF7313 здвоєний MOSFET SOP-8, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF7313 (30V,6.5A,2W,0.029R) , so-8

Немає в наявності

19,74 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналу2 × N-канал (здвоєний)
Напруга Vds30 В
Струм Id (25 °C)6.5 А (TA 25 °C)
Струм Id (70 °C)5.2 А (TA 70 °C)
Rds(on) при Vgs 10 В29 мОм макс. (тип. 23 мОм), Id 5.8 А, Tj 25 °C
Rds(on) при Vgs 4.5 В46 мОм макс. (тип. 32 мОм), Id 2 А, Tj 25 °C
Vgs(th)мін. 1 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg22 нКл тип. (макс. 33), Id 5.8 А, Vds 15 В, Vgs 10 В
Потужність Pd2 Вт (TA 25 °C; 1.3 Вт при TA 70 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусSO-8
IRF7309 N+P MOSFET SO-8, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF7309 (30V,4.7A,-3.5A,1.4W) , so-8

Немає в наявності

28,20 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал + P-канал в одному корпусі (HEXFET, 5-е покоління)
Напруга Vds (N / P)30 / −30 В (Vgs 0, Id ±250 мкА)
Струм Id (N / P), 25 °C4,0 / −3,0 А (неперервний, Ta 25 °C, Vgs ±10 В)
Струм Id (N / P), 70 °C3,2 / −2,4 А (неперервний, Ta 70 °C, Vgs ±10 В)
Струм Id, імпульс 10 с (N / P)4,7 / −3,5 А (Ta 25 °C, Vgs ±10 В)
Rds(on) при Vgs ±10 В (N / P)0,050 / 0,10 Ом макс. (Id 2,4 А (N) / −1,8 А (P))
Rds(on) при Vgs ±4,5 В (N / P)0,080 / 0,16 Ом макс. (Id 2,0 А (N) / −1,5 А (P))
Vgs(th) (N / P)мін. 1,0 / мін. −1,0 В (Vds = Vgs, Id ±250 мкА)
Потужність Pd1,4 Вт (Ta 25 °C, монтаж на плату)
Макс. напруга Vgs±20 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусSO-8 (8 виводів, два кристали)
Заповнювач
Додати в обране

Транзистор IRF7241 , so-8

Немає в наявності

31,49 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуP-канал (HEXFET, trench)
Напруга Vds−40 В (Vgs 0, Id −250 мкА)
Струм Id (25 °C)−6,2 А (Ta 25 °C, Vgs −10 В)
Струм Id (70 °C)−4,9 А (Ta 70 °C, Vgs −10 В)
Rds(on) при Vgs −10 В41 мОм макс. (тип. 25), Id −6,2 А
Rds(on) при Vgs −4,5 В70 мОм макс. (тип. 45), Id −5,0 А
Vgs(th)−1,0…−3,0 В (Vds = Vgs, Id −250 мкА)
Заряд затвора Qg53 нКл тип., 80 нКл макс. (Vgs −10 В, Id −6,2 А, Vds −32 В)
Потужність Pd2,5 Вт (Ta 25 °C; 1,6 Вт при Ta 70 °C)
Макс. напруга Vgs±20 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусSO-8
IRF710 MOSFET TO-220AB, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF710 оригінал (400V,2A,36W,3.6R),TO220

Немає в наявності

31,02 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds400 В (Vgs 0, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)2,0 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)1,2 А (Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)3,6 Ом (макс.; тип. 3,3 Ом; Vgs 10 В, Id 1,1 А)
Заряд затвора Qg7,0 нКл тип., 12 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 2,0 А, Vds 0,8 × 400 В)
Потужність розсіювання Pd36 Вт (Tc 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (Vgs = Vds, Id 250 мкА)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Тип каналуN-канал
КорпусTO-220
СтанОригінал
IRF614 MOSFET TO-220AB, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF614 оригінал (N-,250V,2.7A,36W,2R) , TO220

Немає в наявності

58,75 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds250 В (Vgs 0, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)2,7 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)1,7 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В)
Опір відкритого каналу Rds(on)2,0 Ом (макс., Vgs 10 В, Id 1,6 А)
Заряд затвора Qg8,2 нКл (макс., Vgs 10 В)
Потужність розсіювання Pd36 Вт (Tc 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Макс. напруга затвор–витік Vgs±20 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
Тип каналуN-канал
КорпусTO-220
СтанОригінал
IRF540N MOSFET TO-220, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF540N оригінал (100V,28A,150W) , TO220

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds100 В (Tc 25 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)35 мОм (тип., Vgs 10 В, Id 10 А)
Заряд затвора Qg52 нКл (тип., Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 33 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Макс. напруга затвор–витік Vgs±20 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
Тип каналуN-канал
КорпусTO-220
СтанОригінал
IRF5305 P-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF5305 оригінал (55V,31A,0.06R,110W) , TO220

Немає в наявності

39,01 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds–55 В (Vgs 0 В, Id –250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)–31 А (Vgs –10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)–22 А (Vgs –10 В)
Опір Rds(on)0.06 Ом макс. (Vgs –10 В, Id –16 А)
Порогова напруга Vgs(th)–2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА)
Заряд затвора Qg63 нКл макс. (Id –16 А, Vds –44 В, Vgs –10 В)
Потужність розсіювання Pd110 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
Тип каналуP
КорпусTO-220
Вбудований діодє, trr 170 нс typ. (di/dt –100 А/мкс)
СтанОригінал
IRF2804 транзистор TO-220, фото маркування
Додати в обране

Транзистор IRF2804 оригінал (40V,75A),TO220

Немає в наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга стік-витік V(BR)DSS40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм стоку Id, обмеження кремнієм (TC = 25 °C)270 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (TC = 100 °C)190 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id, обмеження корпусом (TC = 25 °C)75 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм стоку1080 А
Rds(on), TO-2202.3 мОм макс., типово 1.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А)
Заряд затвора Qg160 нКл, макс. 240 нКл (ID = 75 А, VDS = 32 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss6450 пФ
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Напруга затвор-витік±20 В
Напруга вбудованого діода Vsd1.3 В макс. (Tj 25 °C, IS = 75 А, VGS = 0 В)
Час зворотного відновлення діода trr56 нс, макс. 84 нс (Tj 25 °C, IF = 75 А, VDD = 20 В, di/dt = 100 А/мкс)
Робоча температура переходу-55…+175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал
FQPF8N60C MOSFET TO-220F, фото маркування
Додати в обране

Транзистор FQPF8N60C ( HM8N60F ) , TO220F

Немає в наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)7.5 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)4.6 А
Опір Rds(on)1.0 Ом typ. (макс. 1.2 Ом), Vgs 10 В, Id 3.75 А
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg28 нКл typ. (Vds 480 В, Id 7.5 А, Vgs 10 В)
Потужність розсіювання Pd48 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Тип каналуN
КорпусTO-220F
Вбудований діодє, Vsd макс. 1.4 В (Is 7.5 А, Vgs 0 В)
TSF20N60MR MOSFET TO-220F, фото маркування
Додати в обране

Транзистор TSF20N60MR ( заміна для TSF20N50MR , STP20NM60FP , FQPF20N60 , HM20N60F , SIHP15N60E , JS60R380F , 60S380CE , IPAW60R380CE , R6020ANX , SVF20N60F , K18A60V , TK18A60V , FCPF20N60 , FQPF20N60C ) оригінал , TO220F

Немає в наявності

173,90 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)20 А (обмежено макс. температурою переходу)
Струм Id (100 °C)12 А
Rds(on)0.30 Ом (тип.), макс. 0.4 Ом при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)3–5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg57 нКл (тип., макс. 65) при Vds 480 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.4 В, trr 435 нс (тип.)
КорпусTO-220F
ВиробникTruesemi
СтанОригінал
FQD5N60C MOSFET D-PAK, фото маркування
Додати в обране

Транзистор FQD5N60C ( заміна для FCD5N60 , SVF5N60D , IRFU430A , IRFU420A ), D-PAK

Немає в наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, QFET
Напруга Vds600 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)2,8 А
Струм Id (100 °C)1,8 А
Rds(on)2,0 Ом (тип.), 2,5 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 1,4 А
Vgs(th)2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Qg15 нКл (тип.), 19 нКл (макс.)
Напруга Vgs±30 В
Pd49 Вт (Tc 25 °C)
Діапазон температур–55…150 °C
КорпусTO-252 (D-PAK)
Виробникonsemi
APM4953 FDS4953 P-канальний MOSFET SO-8, фото маркування
Додати в обране

Транзистор APM4953 ( FDS4953 ) , so-8

Немає в наявності

26,79 ₴
ПараметрЗначення
ТипP-канал, 2 транзистори в корпусі
Напруга Vds-30 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА)
Струм Id-5,8 А (TA=25 °C); -4,5 А (TA=75 °C)
Rds(on)40 мОм тип., 60 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-5 А)
Rds(on) при VGS=-4,5 В55 мОм тип., 80 мОм макс. (ID=-4 А)
Vgs(th)-1…-2 В, тип. -1,5 В (VGS=VDS, ID=-250 мкА)
Заряд затвора Qg9,2 нКл тип., 11 нКл макс. (VGS=-10 В, VDS=-15 В)
Потужність розсіювання Pd3,2 Вт (TA=25 °C)
Tj max150 °C
КорпусSO-8
BUZ11 MOSFET TO-220, фото маркування
Додати в обране

Транзистор BUZ11 , TO220

Немає в наявності

22,09 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канал, підвищення
Напруга Vds50 В (TJ 25–125 °C)
Струм Id30 А (TC=30 °C)
Імпульсний струм Idm120 А
Rds(on)0,03 Ом тип., 0,04 Ом макс. (ID=15 А, VGS=10 В)
Vgs(th)2,1–4 В, тип. 3 В (VGS=VDS, ID=1 мА)
Напруга затвор–витік Vgs±20 В
Потужність розсіювання Pd75 Вт (TC=25 °C, зниження 0,6 Вт/°C)
Крутизна gfs8 См тип., 4 См мін. (VDS=25 В, ID=15 А)
Діапазон температур-55…150 °C
КорпусTO-220
BF245A транзистор JFET TO-92, фото маркування
Додати в обране

Транзистор BF245A

Немає в наявності

28,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипN-канал, JFET
Напруга стік–затвор Vdg30 В
Прямий струм затвора Igf10 мА
Початковий струм стоку Idss2–6,5 мА (VDS=15 В, VGS=0)
Крутизна gfs3–6,5 мСм (VDS=15 В, VGS=0, f=1 кГц)
Потужність розсіювання Pd350 мВт (TA=25 °C, зниження 2,8 мВт/°C)
Робочий діапазон температур-55…150 °C
КорпусTO-92
APM4546 комплементарна пара MOSFET DIP-8, фото маркування
Додати в обране

Транзистор APM4546 , DIP8

Немає в наявності

33,37 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAnpec Electronics
ТипКомплементарна пара MOSFET (N + P)
КорпусDIP8
Напруга Vds N-канал30 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА)
Напруга Vds P-канал-30 В (VGS = 0 В, IDS = -250 мкА)
Опір Rds(on) N-канал20 мОм тип., 26 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 8 А)
Опір Rds(on) N-канал при 4,5 В27 мОм тип., 36 мОм макс. (VGS = 4,5 В, IDS = 5 А)
Опір Rds(on) P-канал38 мОм тип., 50 мОм макс. (VGS = -10 В, IDS = -6 А)
Порогова напруга Vgs(th) N-канал0,8–2 В, тип. 1,5 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg N-канал18,6 нКл тип., 25 нКл макс. (VDS = 15 В, VGS = 10 В, IDS = 8 А)
Макс. температура переходу Tj150 °C
AP9971GD 9971D здвоєний MOSFET DIP8, фото маркування
Додати в обране

Транзистор AP9971GD ( 9971D- маркування ) , DIP8

Немає в наявності

46,53 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAdvanced Power Electronics Corp.
ТипЗдвоєний MOSFET N-канал
КорпусDIP8
Напруга Vds60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id5 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (70 °C)3,2 А (TA = 70 °C, VGS = 10 В)
Опір Rds(on)50 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А)
Опір Rds(on) при 4,5 В60 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 2,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)1–3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd2 Вт (TA = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C