Магазин
Транзистор G75T65AK5HD ( CRG75T65AK5HD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 90 А (Tc 25 °C); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 300 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 468 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 173 нКл (typ, Vce 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5477 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AK5HD ( CRG40T65AK5HD ) оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF2060CT (заміна для MUR2060FCT ), TO220F-3pin загальний катод
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм I(AV) | 20 А |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 200 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| Час зворотного відновлення trr | 50 нс (IF = 0,5 А, IR = 1,0 А, IRR = 0,25 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА при Ta 25 °C; 400 мкА при Ta 100 °C |
| Ємність переходу Cj | 90 пФ (типова, 1 МГц, VR = 4 В) |
| Діапазон температур Tj, Tstg | -65…+150 °C |
| Конфігурація | Здвоєний, спільний катод |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор FQA20N50C ( 20N50C ) оригінал (заміна для FQA20N50 ) , TO-3P
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 9R1K2C ( IPA90R1K2C3 ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 900 В мін. (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 5.1 А (TC = 25 °C); 3.2 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.94 Ом тип., 1.2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2.8 А, Tj = 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (VDS = VGS, ID = 0.31 мА) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 710 пФ |
| Потужність Pd | 31 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E10N1 ( K100E10N1 ) оригінал , TO220
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET, N-канал, U-MOS-H |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм Id (обмеження корпусом) | 100 А |
| Струм Id (обмеження кристалом) | 207 А |
| Rds(on) тип. | 2,8 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Rds(on) макс. | 3,4 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1,0 мА) |
| Qg | 140 нКл (Vdd ≈ 80 В, Vgs 10 В, Id 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8800 пФ |
| Pd | 255 Вт (Tc = 25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK80E08K3 ( K80E08K3 ) оригінал , TO220
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vdss | 75 В |
| Струм Id | 70 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 7,5 мОм тип., 9,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Vth | 2,0–4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип. (VGS = 10 В, ID = 80 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG095R0NT ( 095R0NT , SVG095RONT , 095RONT ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 90 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження корпусом), 100 А (Tc 100 °C, по кристалу) |
| Rds(on) | 4,4 мОм тип., макс. 5,0 мОм (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 85 нКл тип. (Vdd 40 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 5226 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R190C6 ( IPA60R190C6 ) оригінал, TO220F
В наявності
178,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА) |
| Струм Id | 20,2 А (Tc 25 °C); 12,8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,17 Ом тип., 0,19 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 9,5 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = VGS, ID = 0,63 мА) |
| Заряд затвора Qg | 63 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 34 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G40T65AN5H ( CRG40T65AN5H ) оригінал, TO3P
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,65 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 97 нКл при Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2805 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CEP83A3 оригінал, TO220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Cmos |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 56 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм тип., 4,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А); 7 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 20 А) |
| Vgs(th) | 1–2,5 В (тип. 1,7 В) |
| Qg | 37 нКл тип. (VGS = 5 В, VDS = 15 В, ID = 40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SKST065N08N оригінал, TO220
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 121 А (обмеження кристала, за корпусом 120 А) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Rds(on) | 5,6 мОм тип., 6,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Qg | 47 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 42,5 В, ID = 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ (f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 164 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF20N60 оригінал (заміна для HF20N60 ) , TO220F
В наявності
66,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Feihonltd |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) | 0,45 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А, Tc 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 61 нКл тип. (VGS = 10 В, VDS = 300 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 85 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT030N065FED ( 030N065FED ) оригінал, TO220F
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,75 В при Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 64,5 нКл при Vcc 520 В, Ic 30 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf, типово | 44 нс при Vcc 400 В, Ic 30 А, Rg 7,9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 46 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
NCEP026N10 оригінальний транзистор, TO220
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | NCE |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 142 А |
| Rds(on) | 2.4 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 100 А), макс. 2,6 мОм |
| Заряд затвора Qg | 240 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 17500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0 В типово |
| trr діода | 101 нс типово |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID5S606B ( ID5S606BSEC-R1 ) оригінал, so-8
В наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N65F2DS ( 40N65F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
197,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRINNO |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C; 40 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,85 В типово (Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 283 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл типово (Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2625 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD882 ( D882 ) smd оригінал, sot89
В наявності
21,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-89 |
| Напруга Vcbo | 60 В при IE = 0 |
| Напруга Vceo | 30 В при IB = 0 |
| Напруга Vebo | 5 В при IC = 0 |
| Струм колектора Ic | 3 А, постійний |
| Імпульсний струм Icm | 6 А при tp < 5 мс |
| Струм бази Ib | 1 А |
| Vce(sat) | 0.4 В макс. при Ic = 1 А, Ib = 50 мА |
| hFE | 100–300 при Ic = 100 мА, Vce = 2 В |
| Гранична частота fT | 100 МГц при Ic = 0,1 А, Vce = 10 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP20N50A оригінал (заміна для FTP20N50C ) , TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 20 А (Tc = 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,24 Ом тип., 0,3 Ом макс. (Vgs = 10 В) |
| Потужність Pd | 175 Вт (Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FSA24N50 оригінал, TO-3P
В наявності
125,02 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст HD50SB100 ( D50SB100 ) оригінал
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Струм Io з тепловідводом | 50 А (Tc 100 °C) |
| Струм Io без тепловідводу | 5,0 А (Ta 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 500 А |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (при 25 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА |
| Робоча температура переходу Tj | до 150 °C |
| Значення I²t | 830 А²с |
| Тепловий опір перехід – корпус | 1,0 °C/Вт |
| Тепловий опір перехід – середовище | 22 °C/Вт |
| Електрична міцність ізоляції | 2500 В |
| Корпус | HD5, пластиковий, 4 виводи в ряд |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст RS3506M оригінал
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 800 В |
| Середній випрямлений струм Io | 35 А (Ta 25 °C) |
| Піковий ударний струм Ifsm | 400 А |
| Пряма напруга Vf | 1,0 В (при 17,5 А) |
| Ізоляційна напруга Viso | 3000 В |
| Робоча температура Tj/Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | SIP (RS-35M, ~30,3×20,3 мм) |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст S50VB100 оригінал
В наявності
173,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vrrm | 1000 В |
| If(AV) | 50,0 А |
| Vf (If 17,5 А DC) | 1,1 В |
| Ifsm (8,3 мс) | 450 А |
| Tj/Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | пластиковий, вбудований металевий тепловідвід, гвинт #10 |
| Стан | Оригінал |