Магазин
Демонтаж
Мікросхема BTS611L1 оригінал демонтаж, TO263-7
В наявності
204,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Кількість каналів | 2 |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5,0–34 В |
| Захист від перенапруги Vbb(AZ) | 43 В |
| RON на канал (IL = 1,8 А, Vbb = 12 В, Tj 25 °C) | 200 мОм макс. |
| Струм IL(ISO) на канал (VON = 0,5 В, TC 85 °C) | 2,3 А |
| Розсіювана потужність | 36 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TLE4267G ( 4267G , TLE4267 ) оригінал, TO263-7
В наявності
166,38 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Лінійний стабілізатор 5 В (LDO) |
| Вихідна напруга Vq | 5 В (4,9–5,1 В) при 5 мА ≤ Iq ≤ 400 мА |
| Допуск вихідної напруги | ±2 % |
| Вихідний струм | 400 мА |
| Вхідна напруга Vi | 5,5–40 В |
| Спад напруги Vdr | 0,3 В тип., 0,6 В макс. при Iq = 400 мА |
| Поріг скидання Vrt | 4,5 В (4,2–4,8 В) |
| Температура переходу Tj | –40…150 °C |
| Кваліфікація | AEC-Q100 |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема BTS650P оригінал демонтаж, TO263-7
В наявності
120,79 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Робоча напруга Vbb(on) | 5–34 В (VIN = 0) |
| Захист від перенапруги Vbb(AZ) | 62 В |
| RON (Tj 25 °C, IL = 20 А, Vbb = 12 В) | 6,0 мОм макс. |
| Струм навантаження IL(ISO) | 70 А (Tc 85 °C) |
| Обмеження струму КЗ IL(SC) | 130 А |
| Розсіювана потужність | 170 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GWT40HP65FB ( STGWT40HP65FB ) оригінал, TO-3P
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм колектора | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (тип.), 2,0 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 210 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5412 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 283 Вт при TC = 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Тиристор BT151-800R оригінал, ТО220
В наявності
98,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Тип | Тиристор (SCR) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В |
| Середній прямий струм IT(AV) | 7.5 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Діючий прямий струм IT(RMS) | 12 А (напівхвиля синусоїди, Tmb ≤ 109 °C) |
| Ударний струм ITSM | 120 А (tp=10 мс, Tj(init)=25 °C) |
| Струм керування IGT | 2 мА тип. / 15 мА макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Напруга керування VGT | 0.6 В тип. / 1.5 В макс. (VD=12 В, IT=0.1 А, Tj=25 °C) |
| Пряма напруга VT | 1.4 В тип. / 1.75 В макс. (IT=23 А, Tj=25 °C) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS13N50F ( CS13N50FA9R, CS13N50F A9R ) оригінал, TO220F
В наявності
62,51 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 13 А при TC = 25 °C; 8,2 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 0,4 Ом (тип.), 0,5 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 6,5 А |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1957 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N18R оригінал, TO220(80V,180A)
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 180 А при TC = 25 °C; 120 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 3 мОм (тип.), 4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 40 А |
| Заряд затвора Qg | 155 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 348 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор SGB10N60 ( G10N60 )(заміна для G10N60A , SGB10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 20 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 10,6 А |
| Імпульсний струм колектора | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,0 В (тип.), 2,4 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 10 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 92 Вт при TC = 25 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор SGB15N60HS ( G15N60HS ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 27 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 15 А |
| Імпульсний струм колектора | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,8 В (тип.), 3,15 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 15 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 810 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 138 Вт при TC = 25 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRL40SC228 оригінал демонтаж, D2PAK-7Pin
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал (StrongIRFET, logic level) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID кристала (TC 25 °C, VGS=10 В) | 557 А |
| Струм ID кристала (TC 100 °C, VGS=10 В) | 393 А |
| Струм ID, обмеження виводами (TC 25 °C, VGS=10 В) | 360 А |
| Rds(on) тип. (VGS=10 В) | 0.50 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В) | 0.65 мОм |
| Rds(on) тип. / макс. (VGS=4.5 В, ID=50 А) | 0.60 / 0.90 мОм |
| Qg тип. / макс. (ID=100 А, VDS=20 В) | 205 / 307 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 19680 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC 25 °C) | 416 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRL40SC209 оригінал демонтаж, D2PAK-7Pin
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал (StrongIRFET, logic level) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID кристала (TC 25 °C, VGS=10 В) | 478 А |
| Струм ID кристала (TC 100 °C, VGS=10 В) | 338 А |
| Струм ID, обмеження виводами (TC 25 °C, VGS=10 В) | 300 А |
| Rds(on) тип. (VGS=10 В) | 0.6 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В) | 0.8 мОм |
| Rds(on) тип. / макс. (VGS=4.5 В, ID=50 А) | 0.8 / 1.1 мОм |
| Qg тип. / макс. (ID=100 А, VDS=20 В) | 178 / 267 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 15270 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC 25 °C) | 375 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор STGB19NC60KD ( GB19NC60KD , STGB19NC60KDT4 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK(Заміна для STGB19NC60HD , GB19NC60HD )
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (Vge 0 В) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic при Tc 100 °C | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.0 В (typ., Vge 15 В, Ic 12 А, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.5–6.5 В (Ic 250 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл (Vcc 480 В, Ic 12 А, Vge 0–15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 85 нс (typ., Vcc 480 В, Ic 12 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є, швидкий (ultrafast) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор BTS141 оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
189,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В |
| Rds(on) | 25 мОм (typ., Vin 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Tj 150 °C | 45 мОм (typ., Vin 10 В, Id 12 А) |
| Rds(on) при Vin 5 В | 31 мОм (typ., Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Обмеження струму Id(lim) | 25 А |
| Номінальний струм Id(ISO) | 12 А (Vin 10 В, Vds 0.5 В, Tc 85 °C) |
| Потужність Ptot | 149 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRG7R313U , DPAK
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces (мін.) | 330 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Повторюваний піковий струм Irp | 160 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.35 В (typ., Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 2.2–4.7 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 68 нс (typ., Tj 25 °C, Ic 12 А, Vcc 196 В, Rg 10 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
Транзистор IRF1324S-7P ( F1324S-7P ), D2PAK-7Pin
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | N-канальний MOSFET (HEXFET) |
| Напруга Vds | 24 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 160 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 1.0 мОм (VGS = 10 В, ID = 160 А, Tj 25 °C) |
| Струм Id (за кристалом) | 429 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (за кристалом, 100 °C) | 303 А (Tc 100 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (обмеження корпусу) | 240 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 1640 А |
| Розсіювана потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg тип./макс. | 180 / 252 нКл (ID = 75 А, VDS = 12 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 7700 пФ (VGS = 0 В, VDS = 19 В, f = 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK 7 Pin |
Транзистор STD13N60M2 ( ST13N60M2 , 13N60M2 ) оригінал, D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Серія | MDmesh M2 |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм Id (25 °C) | 11 А при TC = 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 7 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 350 мОм тип., 380 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 5,5 А |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 580 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 110 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FQP65N06 оригінал демонтаж (заміна для FDP65N06 , 65N06 ), TO220
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип каналу | N (QFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 65 А при TC = 25 °C |
| Струм Id (100 °C) | 46.1 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | до 16 мОм при VGS = 10 В, ID = 32.5 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRFS3806 ( AUFS3806 ) оригінал демонтаж, D2PAK
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, HEXFET |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В) | 43 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В) | 31 А |
| Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 25 А) | 12.6 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 25 А) | 15.8 мОм |
| Vgs(th) (Vds = Vgs, Id 50 мкА) | 2.0–4.0 В |
| Qg (Id 25 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) | 22 нКл тип., 30 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 1150 пФ |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Pd (Tc 25 °C) | 71 Вт |
| Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |