Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N18R оригінал, TO220(80V,180A)
188,00 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
S80N18R – N-канальний польовий транзистор SI-TECH у корпусі TO-220: 80 В, 180 А при TC = 25 °C. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | SI-TECH |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 180 А при TC = 25 °C; 120 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 3 мОм (тип.), 4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 40 А |
| Заряд затвора Qg | 155 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 348 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
S80N18R – N-канальний польовий транзистор SI-TECH у корпусі TO-220, виконаний за технологією Trench MOS. Напруга Vds 80 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку 180 А при TC = 25 °C і 120 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on): 3 мОм (тип.), 4 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 40 А. Заряд затвора Qg 155 нКл (VDD = 40 В, VGS = 10 В, ID = 40 А). Вхідна ємність Ciss типово 6420 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність 348 Вт при TC = 25 °C, температура переходу до 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) і корпус TO-220. З нашого каталогу цим параметрам відповідають NCEP85T16 і G042N10, вони в таблиці аналогів. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Автомобільна електроніка
- DC/DC-перетворювачі
- Ключі керування живленням у портативних і батарейних пристроях
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×180=144, Rds(on) Vgs 10 В max 3.8 ≤ 1.3×4=5.2 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перед заміною порівняйте datasheet. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×180=144, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×4=5.2 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перед заміною порівняйте datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити S80N18R?
У таблиці аналогів на сторінці – N-канальні MOSFET у корпусі TO-220 з нашого каталогу: NCEP85T16 і G042N10. У них Vds не нижче 80 В, а струм і Rds(on) у межах правила підбору. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга затвора потрібна?
Опір Rds(on) у datasheet наведено при VGS = 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – від 2,5 до 3,5 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Максимальна напруга затвор–витік ±25 В.
Документація виробника: S80N18R (SI-TECH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженера
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.