Магазин
Транзистор TK25E60X ( K25E60X , K25E60X5 ) оригінал , TO220
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм стоку Id (DC, Tc 25 °C) | 25 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 7,5 А) | 0.105 Ом тип., 0.125 Ом макс. |
| Поріг Vgs(th) (Vds 10 В, Id 1,2 мА) | 2.5–3.5 В |
| Заряд затвора Qg (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 25 А) | 40 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 180 Вт |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGA30S120P ( FGA30S 120P ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 1300 В (VGE = 0 В, Ic = 1 мА, мін.) |
| Струм Ic (Tc = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (Tc = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,75 В тип. (Ic = 30 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Діод у корпусі | є |
| Заряд затвора Qg | 78 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc = 25 °C) | 348 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STP26NM60N ( 26NM60N ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12.6 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 10 А) | 135 мОм тип., 165 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 140 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Модель | IHW30N160R5 |
| Напруга Vces | 1600 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 39 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat), типово | 1.85 В (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 263 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Вбудований діод | так |
| Температура переходу | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SK3528 оригінал, TO-3PF
В наявності
211,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип каналу | N-канал, Super FAP-G |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 17 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 8.5 А) | 0.29 Ом тип., 0.37 Ом макс. |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип., 81 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 2280 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 120 Вт |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Корпус | TO-3PF |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор HY3610P ( HY3610 ) оригінал демонтаж, TO220
В наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds (Tc 25 °C) | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 117 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 80 А) | 4.5 мОм тип., 5.5 мОм макс. |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 328 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 16200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є; Vsd макс. 1 В (Isd 80 А, Vgs 0 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор CRTT067N10N оригінал, TO220
В наявності
82,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, Trench |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 147 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) | 5.2 мОм тип., 6.7 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5779 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF100B201 ( F100B201 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier), серія StrongIRFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) | 192 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) | 136 А |
| Rds(on) тип. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 3,5 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 4,2 мОм |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg тип. | 170 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc = 25 °C) | 441 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTP60N10T оригінал, TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 100 В (Tj 25–175 °C) |
| Струм Id | 60 А (Tc 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 14.8 мОм тип., 18 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 25 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–4.5 В |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 176 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | швидкий, trr 59 нс |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PN8570 ( PN8570H ) , so-7
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipown |
| Потужність (PN8570H) | 8 Вт при 85–265 В AC, +45 °C |
| VCBO (PN8570H) | 750 В мін., IC = 10 мА |
| VCEO | 480 В мін., IC = 10 мА, IB = 0 |
| Піковий струм колектора (PN8570H) | 750 мА макс. |
| Напруга живлення VDD | 9.5–30 В |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема IP5328 , QFN-40
В наявності
130,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Injoinic |
| Вихідний струм при 5 В | 3.1 А |
| Вихідний струм при 9 В | 2.0 А |
| Вихідний струм при 12 В | 1.5 А |
| Напруга заряду акумулятора | 4.2 / 4.35 / 4.4 / 4.5 В |
| АЦП | 14 біт, I2C |
| Захист ESD (HBM) | 4 кВ |
| Корпус | QFN-40 |
| Макс. вхідна напруга VIN/VBUS (абс.) | 16 В |
Транзистор IRFB4227 оригінал , TO220
В наявності
155,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | N-канальний MOSFET (HEXFET) |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (25 °C) | 65 А |
| Струм Id (100 °C) | 46 А |
| Опір Rds(on) | 24 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 46 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 330 Вт |
| Температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRX6759 оригінал
В наявності
240,64 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken Electric |
| Тип | Квазірезонансна мікросхема, контролер і MOSFET в одному корпусі |
| Максимальна напруга VCC | 35 В |
| Число виводів | 7 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK100E08N1 ( K100E08N1 ) оригінал , TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 100 А (обмеження корпусом; за кремнієм 214 А) |
| Опір Rds(on) | 3.2 мОм макс., 2.6 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 9000 пФ |
| Потужність Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Вбудований діод | є, trr 93 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод DSEI12-10A ( DSE112-10A ) оригінал демонтаж(1000V,12A), TO220-2pin
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній прямий струм If(av) | 12 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 150 А (TVJ = 45 °C, t = 10 мс, синус) |
| Пряма напруга Vf | 2.7 В (IF = 12 А, TVJ = 25 °C) |
| Час відновлення trr | 50 нс (тип.) |
| Потужність Ptot | 78 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Конфігурація | одиночний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MPF12N65 оригінал ( заміна для JX12N65 ) , TO220F
В наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Miracle Technology |
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id | 12 А (Tc 25 °C), 7.5 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.80 Ом макс., 0.65 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 6 А) |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 40.2 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 42 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема BD93941FP оригінал, smd
В наявності
319,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM Semiconductor |
| Тип | Драйвер світлодіодів підсвічування LCD, 4 канали |
| Робоча напруга VCC | 9,0–35,0 В |
| Максимальна напруга VCC | 36 В (Ta 25 °C) |
| Напруга на виводах LED1–LED4 | до 60 В (Ta 25 °C) |
| Струм LED на канал | 30–200 мА |
| Частота DC/DC | 150 кГц (RT = 100 кОм) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Корпус | HSOP20 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IP5356-188-BZ , QFN-40 цифровий індикатор
В наявності
136,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | контролер павербанка (SOC) зі швидкою зарядкою |
| Позначення | IP5356-188-BZ |
| Виробник | Injoinic |
| Корпус | QFN-40 |
| Потужність розряду | до 22.5 Вт |
| Потужність заряду | до 18 Вт |
| Струм заряду батареї | до 5.0 А |
| Протоколи | QC2.0/QC3.0, FCP, AFC, SFCP, SCP, MTK PE+, PD2.0/PD3.0, PPS, BC1.2 |
| Вихідна напруга | 5 / 9 / 12 В, PPS 5–11 В |
| Вхідна напруга | 4.5–14 В |
| Напруга батареї | 4.2 В |
| Індикатор | сегментний «188» |
Транзистор MDP1991 ( MDP1991TH ) оригінал, TO220
В наявності
89,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Trench) |
| Виробник | MagnaChip |
| Напруга Vds | 100 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження корпусом); 87 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 5,9 мОм макс.; 4,4 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Id 250 мкА) |
| Qg | 100 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 223 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема WT61P805 , QFP-48
В наявності
361,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Мікросхема |
| Позначення | WT61P805 |
| Корпус | QFP-48 |
IGBT-транзистор STGB10NC60KDSF ( GB10NC60KDSF , STGB10NC60KD , GB10NC60KD , STGB10NC60KDT4 ) оригінал , D2PAK(Заміна для STGB10NC60HD , GB10NC60HD )
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 20 А (Tc 25 °C), 10 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 2,2 В (VGE 15 В, Ic 5 А, Tc 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5–6,5 В |
| Діод | антипаралельний, м’який ультрашвидкий, trr 22 нс |
| Час спаду tf тип. | 33 нс (Tc 25 °C) |
| Eoff тип. | 55 мкДж (Tc 25 °C) |
| Потужність | 65 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj | -55…150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Термостат KSD-01F-H-60°C, TO220-2pin контакти нормально розімкнені
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Dongguan Fuyuanfuse Electronic Technology Co., Ltd. |
| Серія | KSD-01F |
| Температура спрацювання | 60 °C |
| Допуск температури спрацювання | ±5 °C (діапазон 30–100 °C) |
| Тип контактів | нормально розімкнені |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Навантаження контактів | 220 В / 1.5 А AC або 24 В / 1.5 А DC (резистивне навантаження) |
| Опір ізоляції | ≥50 МОм (нормальна температура і вологість) |
| Перехідний опір контактів | ≤100 мОм |
| Електрична міцність ізоляції | ≥500 В (товщина 0.35 мм) |
| Маса | <2 г |
Термостат KSD-01F-D-45°C, TO220-2pin контакти нормально замкнуті
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Dongguan Fuyuanfuse Electronic Technology Co., Ltd. |
| Серія | KSD-01F |
| Температура спрацювання | 45 °C |
| Допуск температури спрацювання | ±5 °C (діапазон 30–100 °C) |
| Тип контактів | нормально замкнуті |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Навантаження контактів | 220 В / 1.5 А AC або 24 В / 1.5 А DC (резистивне навантаження) |
| Опір ізоляції | ≥50 МОм (нормальна температура і вологість) |
| Перехідний опір контактів | ≤100 мОм |
| Електрична міцність ізоляції | ≥500 В (товщина 0.35 мм) |
| Маса | <2 г |