Магазин
Демонтаж
Транзистор IRFP3006 оригінал демонтаж, TO247(60V,195A)
В наявності
223,25 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (обмеження виводами корпусу) | 195 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (обмеження кристалом) | 190 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) макс. | 2,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 170 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 200 нКл тип. (ID = 170 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 8970 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 375 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA6107JF оригінал
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | DBS9MPF (SOT111-1) |
| Кількість виводів | 9 |
| Кількість каналів | 3 |
| Робоча напруга VDD | 200 В (діапазон 180–210 В) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 250 В |
| Коефіцієнт підсилення | 51 (VDD = 200 В, Tamb 25 °C) |
| Струм спокою Iq | 6,6 мА (VDD = 200 В, Tamb 25 °C) |
| Швидкість наростання | 900 В/мкс |
| Опорна напруга | 2,5 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXTQ69N30P оригінал демонтаж(Заміна для FDA69N30 )(300V,69A) , TO-3P
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (Polar Power) |
| Виробник | IXYS |
| Напруга Vdss | 300 В (TJ 25–150 °C) |
| Струм Id25 | 69 А (TC 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 49 мОм макс. (VGS 10 В, ID 0.5 × ID25, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 156 нКл тип., 180 нКл макс. (VGS 10 В, VDS 0.5 × VDSS, ID 0.5 × ID25) |
| Вхідна ємність Ciss | 4960 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.5–5.0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Потужність Pd | 500 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 330 нс тип. (IF 25 А, -di/dt 100 А/мкс, VR 100 В, VGS 0 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема L79L05 , to92
В наявності
14,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга Vo | -5 В (Tj = 25 °C, Vi = -10 В, Io = 40 мА; мін. -4,6, макс. -5,4) |
| Макс. вихідний струм Io | 100 мА |
| Макс. вхідна напруга Vi | -30 В (для Vo = -5…-9 В) |
| Струм спокою Id | 6 мА макс. (Tj = 25 °C) |
| Падіння напруги Vd | 1,7 В тип. |
| Робоча температура переходу | 0…125 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 200 °C/Вт макс. (TO-92) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-92 |
Мікросхема FA6B22N ( 6B22 ) оригінал, so-16
В наявності
143,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Призначення | керування LLC-перетворювачем |
| Макс. напруга пускового елемента | 600 В |
| Напруга драйверів | 600 В |
| Напруга живлення VCC (рек.) | 14–19–29 В |
| Струм VCC у зупиненому стані | 0.80 мА |
| Розсіювана потужність | 0.83 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LA7841 оригінал
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | SIP7H (7 виводів) |
| Макс. напруга живлення | 34 В |
| Макс. напруга вихідного блока | 70 В |
| Макс. струм відхилення | ±1.5 А (пік) |
| Розсіювана потужність | 9 Вт |
| Рекомендована напруга живлення | 24 В |
| Діапазон напруги живлення | 16–33 В |
| Струм спокою | 35–65 мА (Ta 25 °C, живлення 24 В) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 4.0 °C/Вт |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LA7846N оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | SIP-10H |
| Макс. напруга живлення | 40 В |
| Макс. напруга вихідного блока | 85 В |
| Макс. струм відхилення | ±1.9 А (пік) |
| Розсіювана потужність | 20 Вт |
| Рекомендована напруга живлення | 24 В |
| Діапазон напруги живлення | 16–38 В |
| Струм спокою | 35–70 мА (Ta 25 °C, живлення 24 В) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 3.0 °C/Вт |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LA78045 оригінал (Заміна для AN15524 , AN15525 , AN15526 )
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Корпус | Sanyo 3286, 7 виводів |
| Макс. напруга живлення | 45 В |
| Макс. напруга вихідного блока | 92 В |
| Макс. струм відхилення | ±1.5 А (пік) |
| Розсіювана потужність | 9 Вт |
| Рекомендована напруга живлення | 30 В |
| Діапазон напруги живлення | 16–43 В |
| Струм спокою | 20–50 мА (Ta 25 °C, живлення 24 В) |
| Тепловий опір кристал–корпус | 3 °C/Вт |
| Робоча температура | -20…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STK392-040 оригінал
В наявності
470,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | SANYO |
| Тип | Гібридна мікросхема, 3-канальний підсилювач корекції збіжності |
| Максимальна напруга живлення | ±50 В (Ta 25 °C) |
| Максимальний струм колектора | 7,0 А (Tr8, 10, 18, 20, 28, 30; Ta 25 °C) |
| Струм спокою | 90 мА (30–150 мА) при VCC ±40 В, Rg 50 Ом, Ta 25 °C |
| Смуга пропускання (-3 дБ) | 3,8 МГц при VCC ±35 В |
| Тепловий опір кристал–корпус | 1,8 °C/Вт |
| Корпус | SIP22 (22 виводи) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема STRW6753 оригінал
В наявності
196,93 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Тип | Квазірезонансний ШІМ-контролер з вбудованим MOSFET |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Rds(on) | 1,70 Ом (максимум) |
| Вихідна потужність (теплова) | 58 Вт (вхід Wide), 120 Вт (вхід 230 В AC) |
| VCC(OFF) | 10,6 В (максимум) |
| VCC(OVP) | 25,5 В (мінімум) |
| Корпус | TO-220, 7 виводів (вивід 2 відсутній), повністю ізольований |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7057AQ оригінал
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Тип | Стереопідсилювач НЧ з регулюванням гучності |
| Напруга живлення | 4,5–18 В |
| Вихідна потужність | 3,5 Вт (мін. 3,0 Вт) при VP 12 В, RL 16 Ом, Tamb 25 °C, f 1 кГц |
| Максимальне підсилення | 40,5 дБ (мін. 39,5 дБ) при VP 12 В |
| Струм спокою | 22 мА (макс. 25 мА) при VP 12 В, без навантаження |
| Корпус | DBS13P (SOT141-6) |
| Стан | Оригінал |