Магазин
Демонтаж
Транзистор 2SK1938 ( K1938 ) оригінал демонтаж(500V,18A), TO-3PML
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В мін. (VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 18 А (TC 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,35 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А, TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (VDS = VGS, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW60V60DF ( STGW60V60DF , GW60V60DLF ) оригінал демонтаж б/в, TO-247(Заміна для NH28AB , HGTG20N60B3D , SGA45T60SMD )
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при 25 °C |
| Vce(sat) | 1.85 В (тип.), 2.3 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 60 А, Tj 25 °C |
| Потужність Pd | 375 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 334 нКл (тип.) при Vcc 480 В, Ic 60 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 8000 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура переходу | -55…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 60T65PES оригінал ( MBQ60T65PES ) , TO247 (650V,60A,428W)
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | IGBT n-канал (Field Stop Trench, 2-ге покоління) із діодом |
| Напруга колектор-емітер Vce | 650 В (Ic 2 мА, VGE 0 В) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,85 В (тип.), 2,4 В (макс.) при Ic 60 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0–6,0 В (тип. 5,0) при VCE = VGE, Ic 0,5 мА |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл (тип.) при Vce 520 В, Ic 60 А, VGE 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2327 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Втрати вимкнення Eoff | 0,53 мДж (тип.) при Ic 60 А, Vcc 400 В, VGE 15 В, Rg 7 Ом, Tvj 25 °C |
| Час спаду tf | 40 нс (тип.) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Потужність розсіювання Pd | 535 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30J122A ( 30J122A ) оригінал , TO-3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,7 В (тип.), 2,8 В (макс.) при Ic 50 А, VGE 15 В, Ta 25 °C |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Час спаду tf | 0,20 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) при Ic 50 А, Vcc 300 В |
| Потужність розсіювання Pc | 120 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK10A60E ( K10A60E ) оригінал ( заміна для TK10A60W , K10A60W , TK10A60D , K10A60D ) (600V,10A), TO220F
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 10 А (постійний) |
| Опір Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tch | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 400 нс тип. |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDT3N40 (400V,2A,3.4R) , sot223
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 2,0 А (Tc 25 °C); 1,2 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 3,4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Заряд затвора Qg | 4,5 нКл тип. (VDS = 320 В, ID = 2 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 173 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | SOT-223 |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема FA1A50N ( 1A50 , FA1A50 ) , so-8
В наявності
149,93 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. напруга живлення Vcc | 28 В (абсолютний максимум) |
| Рекомендована напруга Vcc | 10–26 В (типово 12 В) |
| Поріг запуску | 9,6 В (типово) |
| Струм запуску | 500 мкА (типово) |
| Робочий струм | 1,5 мА (типово) |
| Поріг захисту за струмом CS | 0,6 В ±2 % |
| Піковий вихідний струм OUT (джерело) | 500 мА |
| Піковий вихідний струм OUT (приймач) | 1000 мА |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PH50KD оригінал демонтаж б/в (1200V,45A,200W) , TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRG4PH50KD |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип | IGBT n-канал із діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 45 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 24 А |
| Vce(on) | 2,77 В тип. (Ic 24 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема FA6B20N ( 6B20 ) оригінал, so-16
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга стартового кола і драйвера верхнього плеча | 600 В |
| Макс. напруга VB | 630 В (абсолютний максимум) |
| Напруга запуску VCC | 14,0 В (мін 13,2, макс 14,8, VCC зростає) |
| Напруга вимкнення VCC | 9,0 В (мін 8,5, макс 9,5, VCC спадає) |
| Рекомендована напруга VCC | 14–29 В (типово 19) |
| Струм споживання VCC | 0,80 мА (спокійний режим) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FA1A60N ( 1A60 , FA1A60 ) оригінал, so-8
В наявності
95,88 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Контролер PFC (режим критичної провідності) |
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc (макс.) | 28 В |
| Струм запуску | 250 мкА (тип.) |
| Робочий струм | 0.8 мА (тип.) |
| Поріг захисту за струмом | 0.6 В (±2 %) |
| Піковий струм драйвера затвору | +500 / -1000 мА |
| Розсіювана потужність | 625 мВт (Ta = 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура середовища | -50…+105 °C |
| Стан | Оригінал |
Світлодіод 3528 (2835) smd KONKA 01.JT.2835BPCWS2-C 6V 1,2W 180mA холодний білий
В наявності
11,75 ₴
IGBT-транзистор 40QR21 ( GT40QR21 ) оригінал, TO3P
В наявності
289,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | GT40QR21 |
| Маркування | 40QR21 |
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT із вбудованим діодом (RC-IGBT) |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Vce(sat) | 1,90 В тип. (Ic 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 70R380P ( MME70R380P , MME70R380PRH ) оригінал, D2PAK (750V,11A,0.38R)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip |
| Напруга Vds | 700 В (VGS 0 В, ID 0,25 мА, Tc 25 °C) |
| Напруга Vds при Tj макс. | 750 В |
| Струм Id | 11 А (Tc 25 °C), 7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 3,2 А) |
| Qg | 34 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 560 В, ID 11 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1061 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Pd | 101 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD1051 (150V,28A,0.046R) , D-PAK(Заміна для IRFR18N15D )
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Magnachip Semicon |
| Напруга Vds | 150 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 28 А (Tc 25 °C), 18 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 46 мОм макс. (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Qg | 19,6 нКл тип. (VDS 75 В, ID 20 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1270 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,2–3,2 В |
| Pd | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |