Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK10A60E ( K10A60E ) оригінал ( заміна для TK10A60W , K10A60W , TK10A60D , K10A60D ) (600V,10A), TO220F
122,20 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK10A60E (K10A60E) – оригінальний N-канальний польовий транзистор Toshiba на 600 В і 10 А в корпусі TO-220SIS (TO-220F). Використовують в імпульсних регуляторах напруги.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id | 10 А (постійний) |
| Опір Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5 А) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл тип. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–4,0 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tch | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 400 нс тип. |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
TK10A60E (K10A60E) – оригінальний N-канальний MOSFET виробництва Toshiba в корпусі TO-220SIS (TO-220F): 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік, ізоляція 2000 В (RMS). Напруга Vds – 600 В. Постійний струм стоку Id – 10 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 0,75 Ом (типово 0,54 Ом) при VGS = 10 В, ID = 5 А. Заряд затвора Qg – типово 40 нКл при VGS = 10 В, ID = 10 А. Вхідна ємність Ciss типово 1300 пФ. Порогова напруга Vgs(th) – 2,5–4,0 В при VDS = 10 В, ID = 1 мА. Час зворотного відновлення діода trr – типово 400 нс.
Потужність розсіювання Pd – 45 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу Tch – 150 °C. Деталь оригінал, не демонтаж. TK10A60E може замінити TK10A60W, K10A60W, TK10A60D, K10A60D; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору інших замін зіставляйте канал, корпус і розпіновку, Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора Qg.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори напруги
Чим замінити TK10A60E?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з тією самою розпіновкою, Vds не нижче 600 В і не гіршими Id та Rds(on). Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи може TK10A60E замінити TK10A60D або TK10A60W?
TK10A60E може замінити TK10A60W, K10A60W, TK10A60D, K10A60D. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Яка розпіновка TK10A60E?
У корпусі TO-220SIS: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Ізоляція корпусу – 2000 В (RMS).
Документація виробника: TK10A60E (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.