Магазин
Мікросхема TDA8571J оригінал
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors (Philips Semiconductors) |
| Корпус | DBS23P |
| Вихідна потужність на канал | 40 Вт (EIAJ, 4 Ом, мостове ввімкнення) |
| Робоча напруга живлення Vp | 6–18 В (тип. 14,4 В) при Tamb 25 °C |
| Повний струм спокою | 200 мА (тип.), 360 мА (макс.) при Vp 14,4 В |
| Підсилення | 34 дБ (33–35 дБ) |
| Потужність розсіювання | 60 Вт (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA2003 оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Вихідна потужність | 6 Вт (тип.), 5,5 Вт (мін.) при Rн 4 Ом, КНС 10 %, f 1 кГц, Vs 14,4 В |
| Робоча напруга живлення | 8–18 В при Tamb 25 °C |
| Максимальна напруга живлення | 28 В (постійна) |
| Струм спокою | 44 мА (тип.), 50 мА (макс.) при Vs 14,4 В |
| Потужність розсіювання | 20 Вт при Tcase 90 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MC44604P ( MC44604 )
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | DIP16 |
| Частота перемикання | до 250 кГц |
| Вхід мережі | 80–280 В (універсальний вхід) |
| Струм виходу, джерело / стік | 750 / 750 мА |
| Напруга живлення виходу VC (макс.) | 18 В |
| Поріг запуску (UVLO) | 14,5 В |
| Опорна напруга Rref | 2,5 В при VCC = 10–15 В |
| Робоча температура | від -25 до +85 °C |
Мікросхема LA4282 оригінал
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SIP-12 |
| Робоча напруга живлення | 10–40 В (рекомендована Vcc 32 В, Ta 25 °C) |
| Максимальна напруга живлення | 45 В (у режимі спокою) |
| Опір навантаження | 8 Ом |
| Максимальний вихідний струм | 4 А з радіатором, Ta 25 °C |
| Потужність розсіювання | 25 Вт з радіатором, Ta 25 °C |
| Струм спокою | 60 мА (тип.), 100 мА (макс.) |
| Коефіцієнт підсилення | 40 дБ (38–42 дБ) |
| Робоча температура | -20…+75 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA2030A оригінал
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | Pentawatt, 5 виводів |
| Корпус (докладно) | Pentawatt (вертикальний), 5 виводів |
| Напруга живлення Vs | ±6…±22 В (Tamb 25 °C) |
| Максимальна напруга живлення | ±22 В |
| Піковий вихідний струм | 3.5 А |
| Струм спокою | 50 мА (тип.), 80 мА (макс.) при Vs ±16 В, Tamb 25 °C |
| Потужність розсіювання | 20 Вт при Tcase 90 °C |
| Тепловий опір кристал – корпус | 3 °C/Вт (макс.) |
| Температура зберігання і переходу | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA1771 оригінал
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SIP10 (пластиковий), 10 виводів |
| Напруга живлення Vs | 10–30 В (Tamb 25 °C, Vs 24 В) |
| Максимальна Vs | 30 В |
| Піковна напруга зворотного ходу | 65 В |
| Вихідний струм (розмах) | 6 А при t = 2 мс; 4 А при t > 10 мкс |
| Струм споживання | 315 мА (типове) |
| Потужність розсіювання | 9 Вт при Ttab 60 °C |
| Тепловий опір кристал – корпус | 10 °C/Вт (макс.) |
| Температура зберігання і переходу | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор AUGPS4070D0 оригінал демонтаж б/в ( заміна для AUPS4070D2 , AUPS4070D1 , AUPS4070D0 , AUPS4070D1-H , AUPS4070D2-K , AUPS4070D2-L , AUPS4070D2-G , AUPS4070D2-H , AUPS4070D1-K , AUPS4070D , AUIRGPS4070D0 , AUGPS4070D1 , AUIRGPS4070D1 , IRGPS4070D , IRGPS4070DPbF , GPS4070D ), Super-247
В наявності
320,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT Trench з діодом Co-pak, Automotive |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 240 А (пакетний ліміт струму 195 А) |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 160 А |
| Vce(on) тип. | 1.70 В (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 750 Вт |
| Температура переходу Tj макс. | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 250 нКл (Ic 120 А, Vge 15 В, Vcc 400 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7600 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BR13N50 оригінал (заміна для SFP13N50C , SFP13N50 ), TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Foshan Blue Rocket Elec |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 13 А (TC = 25 °C); 8 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.48 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 195 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW35N60C3 ( 35N60C3) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (CoolMOS) |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (мін.; VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 34.6 А (TC = 25 °C); 21.9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.1 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 21,9 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В (VDS = VGS, ID = 1,9 мА) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (тип.; VDD = 480 В, ID = 34,6 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 313 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор MDD1752 , D-PAK
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 50 А при TC = 25 °C; 15.2 А при TA = 25 °C |
| Опір Rds(on) при Vgs 10 В | 8.0 мОм (макс.), 6.1 мОм (тип.) при ID = 14 А |
| Опір Rds(on) при Vgs 4,5 В | 10.5 мОм (макс.), 8.2 мОм (тип.) при ID = 11 А |
| Заряд затвора Qg | 26.4 нКл (тип.) при VDS = 20 В, ID = 14 А, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1480 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 1.0–3.0 В при ID = 250 мкА (тип. 1.7 В) |
| Потужність Pd | 45 Вт при TC = 25 °C (3,1 Вт при TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | MagnaChip Semiconductor |
Демонтаж
Транзистор 6R099C6 ( IPW60R099C6 ) оригінал демонтаж, TO247( 650V, 37.9A , 0.099R )
В наявності
253,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (мін.) | 600 В (ID = 0,25 мА) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 37,9 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 24 А |
| Імпульсний струм Id,pulse | 112 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 18,1 А, Tj = 25 °C) | 0,099 Ом (макс.) |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 119 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2660 пФ (VGS = 0 В, VDS = 100 В, f = 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В (статично) |
| Потужність Ptot (TO-247, TC = 25 °C) | 278 Вт |
| Тепловий опір перехід–корпус (макс.) | 0,45 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |