Магазин
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40T120SMD ( FGH40T120 ) оригінал демонтаж б/в (40A,1200V), TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 1200 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 370 нКл тип. (Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 555 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FHP100N08 оригінал демонтаж(Заміна для CS100N08 , SSF7509 )(80V,100A) , TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id (25 °C) | 100 А (TC 25 °C, обмеження температурою переходу) |
| Струм Id (100 °C) | 70 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 6,5 мОм типово (VGS 10 В, ID 40 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 75 нКл типово (VDS 64 В, ID 30 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STP110N8F6 ( 110N8F6 ) оригінал, TO220
В наявності
68,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, STripFET F6 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 110 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 85 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,0056 Ом типово (VGS 10 В, ID 55 А) |
| Vgs(th) | 2.5–4.5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 150 нКл типово (VDD 40 В, ID 110 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9130 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K75H603 ( IKW75N60H3 ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Аналог за маркуванням | IKW75N60H3 |
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C (обмежено виводами); 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 225 А |
| Vce(sat) | 1.85 В (макс. 2.30 В) при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C |
| Qg | 470 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4620 пФ (f 1 МГц) |
| Ptot | 428 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vf 1.65 В (макс. 2.00 В) при If 50 А, Tvj 25 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Сімістор BTA41-600B ( BTA41-600BQ ) оригінал (40A,600V) , TOP3
В наявності
192,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В, Tj 25 °C |
| Струм It(rms) | 40 А при Tc 81 °C |
| Ударний струм Itsm | 420 А, tp = 20 мс, Tj 25 °C |
| Струм керування Igt | 50 мА макс., квадранти I–III (70 мА для IV), VD = 12 В, RL = 33 Ом |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс., VD = 12 В, RL = 33 Ом |
| Спад напруги Vt | 1.4 В макс., Itm = 60 А, tp = 380 мкс, Tj 25 °C |
| Квадранти | 4Q (I, II, III, IV) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TOP3 |
| Корпус (докладно) | TOP3, ізоляція 2500 В (діюче), UL |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
248,63 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT (Field Stop II Trench) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc = 25 °C); 50 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,80 В тип. (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 5,5 В тип. (VGE = Vce, Ic = 350 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 220 нКл тип. (Vce = 480 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5328 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 417 Вт (Tc = 25 °C); 208 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40N60SMD оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT (Field Stop 2-го покоління) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 80 А (Tc = 25 °C); 40 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,5 В макс. (Ic = 40 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В тип. (Ic = 250 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vce = 400 В, Ic = 40 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 349 Вт (Tc = 25 °C); 174 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема ETA9640 , so-8
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | синхронний boost до 5 В/1 А плюс лінійний зарядний пристрій до 1 А для Li-Ion |
| Вихідна напруга USB | 5,05 В (4,9–5,2 В), VBAT = 3,6 В, Tj 25 °C |
| Вихідний струм boost | до 1 А (від Li-Ion, при 5 В) |
| Вихідна потужність boost | 5 Вт |
| ККД у режимі boost | до 96 % |
| Струм спокою від акумулятора | 100 мкА макс. (VBAT = 3,6 В, без навантаження) |
| Частота перемикання | 1,8 МГц (1,4–2,2 МГц), VBAT = 3,6 В |
| Rds(on) нижнього ключа | 180 мОм (типово) |
| Rds(on) синхронного ключа | 120 мОм (типово) |
| Обмеження струму ключа | 1,85 А (1,6 А мін.) |
| Напруга закінчення заряду | 4,2 В (4,15–4,24 В) |
| Струм заряду | 1 А (0,85–1,15 А), Rset = 1 кОм |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
| Виробник | ETA Solution |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1602 ( IHW30N160R2 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Аналог за маркуванням | IHW30N160R2 |
| Напруга Vce | 1600 В |
| Струм Ic | 60 А при Tc 25 °C; 30 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 90 А |
| Vce(sat) | 1.8 В (макс. 2.1 В) при Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C |
| Qg | 94 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2740 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 312 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vf 1.65 В (макс. 2.0 В) при If 30 А, Tj 25 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20PR5 ( IHW20N135R5 ) оригінал демонтаж б/в (1350V,40A) , TO-247
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначення | IHW20N135R5 |
| Напруга Vce | 1350 В (Tvj 25 °C) |
| Струм IC | 40 А (Tc 25 °C); 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 60 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE=15 В, IC=20 А, Tvj 25 °C) |
| Зворотний діод | є (монолітний) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1360 пФ |
| Ptot | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20MR5 оригінал демонтаж б/в ( IHW20N120R5 )(заміна для 20N120IHR ) , TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначення | IHW20N120R5 |
| Напруга Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм IC | 40 А (Tc 25 °C); 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 60 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE=15 В, IC=20 А, Tvj 25 °C) |
| Зворотний діод | є (монолітний) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1340 пФ |
| Ptot | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H15R1203 ( IHW15N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vce | 1200 В (VGE=0 В, IC=0,5 мА) |
| Струм колектора Ic | 30 А при Tc=25 °C; 15 А при Tc=100 °C |
| Імпульсний струм колектора | 45 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,48 В (тип.), 1,70 В (макс.) при VGE=15 В, IC=15 А, Tvj=25 °C |
| Пряма напруга діода Vf | 1,55 В (тип.), 1,75 В (макс.) при IF=15 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 254 Вт при Tc=25 °C |
| Робоча температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл (VCC=960 В, IC=15 А, VGE=15 В) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор BT15T120 оригінал (Заміна G15N120D , 15N120HKD ) , TO3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (BVCES при VGE 0 В, IC 1 мА) |
| Струм колектора Ic при 25 °C | 30 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic при 100 °C | 15 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 45 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,95 В (IC 15 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 81,5 нКл (VCE 960 В, IC 15 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1513 пФ (VCE 25 В, VGE 0 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 156 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW47N60C3 оригінал демонтаж( 47N60C3 , 47N60CFD , SPW47N60CFD )(47A,650V) , TO247
В наявності
298,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 47 А (TC 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 30 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) | 0,06 Ом типово (VGS 10 В, ID 24 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg | 182 нКл типово (VGS 10 В, ID 24 А, VDS 520 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5682 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Pd | 415 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| trr діода | 753 нс типово (IF = IS = 24 А) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 40T120FDS ( MBQ40T120FDS )(40A,1200V) , TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C | 2.0 В (макс. 2.4 В) |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 357 Вт |
| Заряд затвора Qg | 341 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, If 40 А (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
Діодний міст GBJ5010 ( Заміна для KBJ5010 , D50XB100 )(1000V,50A)
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча зворотна напруга Vrms | 700 В |
| Середній прямий струм If(av) | 50 А (Tc 100 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 400 А (напівхвиля 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,0 В (If 25 А, Tj 25 °C, макс.) |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Tj 25 °C) / 200 мкА (Tj 125 °C) |
| Робоча температура переходу | -55…+150 °C |
| Корпус | GBJ |
| Виробник | MCC |
Транзистор STD13NM60N ( 13NM60N , ST13NM60N ) оригінал, D-PAK
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0, ID = 1 мА; 650 В при Tjmax) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 11 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 6.93 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.28 Ом тип., 0.36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 5.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 90 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 230 нс (тип.) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Сімістор M2GZ47 , TO220F
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В |
| Струм It(rms) | 2 А при Tc 110 °C |
| Ударний струм Itsm | 8 А при 50 Гц |
| Струм керування Igt | 8 мА макс. (5 мА для SM2GZ47A), VD = 12 В, RL = 20 Ом |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс., квадрант I |
| Спад напруги Vt | 1.7 В макс., Itm = 3 А, Ta 25 °C |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |