Магазин
Мікросхема MC34152 , so-8
В наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний драйвер MOSFET |
| Виробник | onsemi |
| Кількість незалежних каналів | 2 (неінвертуючі, двотактні виходи) |
| Струм двотактного виходу (sink/source) | 1,5 А (Maximum Ratings, на канал) |
| Максимальна напруга живлення | 20 В |
| Робоча напруга живлення | 6,1–18 В |
| Час наростання виходу (10–90 %) | 14 нс тип., 30 нс макс. (CL = 1,0 нФ, VCC = 12 В, TA = 25 °C) |
| Час спаду виходу (90–10 %) | 15 нс тип., 30 нс макс. (CL = 1,0 нФ, VCC = 12 В, TA = 25 °C) |
| Робочий діапазон температур | 0…+70 °C |
| Входи | сумісні з CMOS/LSTTL, з гістерезисом |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема FSB127H ( B127H ) оригінал, DIP8
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим польовим ключем |
| BVDSS | 700 В (ID = 250 мкА, VGS = 0 В) |
| RDS(on) | 6,0 Ом (VGS = 10 В, ID = 0,5 А, typ) |
| IDM | 8,0 А |
| Вихідна потужність (адаптер) | 14 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Вихідна потужність (відкрита конструкція) | 20 Вт (230 В AC ±15 %) |
| Поріг обмеження струму | 1,00 А |
| Частота перетворення | 100 кГц |
| Поріг запуску VDD | 12 В |
| Поріг вимкнення VDD | 6 В |
| Максимальна напруга VDD | 30 В |
| Потужність розсіювання | 1,5 Вт (TA < 50 °C) |
| Температура | –40…105 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема LP3773 , so-7
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LANDP (Shenzhen Chip Hope Micro-Electronics) |
| Тип | Контролер PSR з вбудованим біполярним ключем |
| Потужність джерела | до 12 Вт |
| Споживання в режимі очікування | не більше 75 мВт |
| Напруга запуску VCC | 15,5 В (Ta = 25 °C) |
| Поріг мінімальної напруги VCC | 4,0 В |
| Робочий струм VCC | 400 мкА (VCC = 16 В, Ta = 25 °C) |
| Поріг обмеження струму (CC) | 600 мВ |
| Опорна напруга на FB | 4,00 В |
| Максимальна напруга VCC | 30 В |
| Потужність розсіювання | 0,45 Вт |
| Температура переходу | –40…150 °C |
| Корпус | SOP-7 |
Мікросхема UCC37322P , DIP8
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Призначення | драйвер затвора MOSFET нижнього плеча, неінвертуючий, з входом Enable |
| Піковий вихідний струм | 9 А (VDD = 14 В, на плато Міллера) |
| Напруга живлення VDD | 4–15 В |
| Максимальна напруга живлення | 16 В |
| Час наростання і спаду | 20 нс (типове, навантаження 10 нФ) |
| Логіка входів | TTL/CMOS |
| Робочий діапазон температур | 0…+70 °C |
| Корпус | DIP8 |
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор TGAN40N120FDR ( 40N120FDR , TGAN40N120F2DW , TGAN40N120F2DW ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P(1200V,40A)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C | 2.0 В (макс. 2.5 В) |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 500 Вт |
| Заряд затвора Qg | 320 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5260 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, If 40 А |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Виробник | TRinno |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 70S360P7 ( IPD70R360P7S ) оригінал , D-PAK (700V,12.5A)(Заміна для 70R360M , TPD70R360M , 11N60S )
В наявності
128,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS P7 |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 700 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12.5 А (за назвою товару) |
| Імпульсний струм Id,pulse | 34 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.36 Ом (Vgs 10 В, Id 3.0 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 16.4 нКл (Vdd 400 В, Id 2.3 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 517 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Vgs(th) | 3 В тип., 3.5 В макс. (Id 0.15 мА) |
| Ptot | 59.5 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGA15N120ANTD ( FGA15N120AND ) оригінал демонтаж б/в, TO3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 15 А |
| Імпульсний струм Icm | 45 А |
| Vce(sat) при Ic 15 А, Vge 15 В | 1.9 В |
| Потужність Pd при Tc 25 °C | 186 Вт |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2650 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1203 ( IHW30N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
225,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зворотно-провідний, N-канал |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) тип. | 1.55 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Ptot (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Температура переходу Tvj макс. | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (Vcc 960 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2038 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор 40N60NPFD ( SGT40N60NPFD ) оригінал , TO-3P
В наявності
105,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT N-канал Field Stop з діодом |
| Напруга Vce | 600 В |
| Номінальний струм колектора | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) typ | 1.8 В при Ic 40 А, Vge 15 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 105 нс |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | так, FRD |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40T65QES оригінал ( MBQ40T65QES ) , TO247(Заміна для 40T65FDSC , MBQ40T65FDSC , MBQ40T65FESC , 40T65FESC )
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (TC=25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC=100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.8 В тип. / 2.3 В макс. (Ic=40А, Vge=15В, Tvj=25°C) |
| Vce(sat) при Tvj=175°C | 2.3 В |
| Eoff (Tvj=25°C) | 0.4 мДж |
| Eoff (Tvj=175°C) | 0.57 мДж |
| Час спаду tf | 64 нс |
| Вбудований діод | так, антипаралельний FRD, Vf=1.5В тип. при If=20А |
| trr діода | 60 нс (If=20А, diF/dt=820А/мкс) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (Vce=520В, Ic=40А, Vge=15В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.5–6.5 В, тип. 5.0 В |
| Розсіювана потужність Pd | 230 Вт (TC=25°C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT2170 , TO220F
В наявності
65,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN (triple diffused planar) |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Імпульсний струм Icp | 12 А |
| Потужність розсіювання Pc | 25 Вт (з радіатором, Tc = 25 °C); 2,0 Вт (вільне повітря, Ta = 25 °C) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC = 2,7 А, IB = 0,54 А) |
| Демпферний діод | є |
| Виробник | SANYO |
Транзистор 2SC2073 оригінал
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий |
| Напруга колектор–база Vcbo | 150 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 150 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5,0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1,5 А (Ta 25 °C) |
| Струм бази Ib | 0,5 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 2,0 Вт (Ta 25 °C); 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–140, тип. 75 (Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | макс. 1,5 В (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | тип. 4,0 МГц (Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | тип. 35 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1,0 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |