Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор K30N60HS ( SKW30N60HS , SKW30N60 ) оригінал, TO-247
385,40 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
K30N60HS (SKW30N60HS) – швидкий IGBT-транзистор Infineon на технології NPT для робочих частот понад 30 кГц. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 41 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Vce(sat) | 2,8 В тип. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
K30N60HS (SKW30N60HS, SKW30N60) – IGBT-транзистор Infineon у корпусі TO-247 (PG-TO-247-3), спроєктований для роботи на частотах понад 30 кГц. Напруга колектор–емітер – 600 В. Струм колектора Ic – 41 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 2,8 В при Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C; при Tj 150 °C – 3,5 В. Потужність розсіювання Pd – 250 Вт при Tc 25 °C. Заряд затвора Qg типово 141 нКл при Vcc 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf типово 25 нс при Tj 25 °C, Vcc 400 В, Ic 30 А. Стійкість до короткого замикання – 10 мкс при Vge 15 В.
Усередині є антипаралельний діод: Vf типово 1,55 В при IF 30 А, trr типово 125 нс при VR 400 В, IF 30 А. Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на корпус і розпіновку, Vces, струм Ic при 100 °C, наявність діода та заряд затвора Qg. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Швидкий IGBT на технології NPT для робочих частот понад 30 кГц
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×2.8=3.64, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | перевірте заряд затвора та драйвер | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×2.8=3.64, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | демонтаж б/в; перевірте драйвер | Купити |
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×2.8=3.64, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | демонтаж б/в; перевірте драйвер | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×2.8=3.64, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | перевірте заряд затвора та драйвер | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити K30N60HS?
У нашому каталозі в корпусі TO-247 за правилом Vces, Ic при 100 °C та Vce(sat) підходять, наприклад, NCE40TD60BT, RJH60F5, IRGP4068D-E. Перед заміною порівняйте datasheet і заряд затвора, щоб драйвер впорався.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить K30N60HS для високих частот?
Так, за документом Infineon деталь розрахована на роботу на частотах понад 30 кГц.
Чи є у K30N60HS вбудований діод?
Так, є антипаралельний діод: IF 41 А при 25 °C і 28 А при 100 °C.
Документація виробника: SKW30N60HS (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.