Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPP11N60C3 ( 11N60C3 ) оригінал ( Заміна для SPP11N60CFD , 11N60CFD ) , TO220
190,35 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SPP11N60C3 (11N60C3) – N-канальний Cool MOS транзистор Infineon у корпусі TO220, оригінал. Може замінити SPP11N60CFD, 11N60CFD.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал (Cool MOS) |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (мін., VGS = 0, ID = 0,25 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 11 А (TC 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 7 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 0,34 Ом тип., 0,38 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,1–3,9 В, тип. 3 В (VGS = VDS, ID = 500 мкА) |
| Заряд Qg | 45 нКл тип., 60 нКл макс. (VDD 480 В, ID 11 А, VGS 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
SPP11N60C3 (маркування 11N60C3) – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Infineon, технологія Cool MOS, корпус PG-TO220. Напруга стік–витік Vds – 600 В мінімум (VGS = 0, ID = 0,25 мА), 650 В при максимальній температурі переходу. Струм стоку Id – 11 А при TC 25 °C і 7 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,34 Ом типово і 0,38 Ом максимум (VGS 10 В, ID 7 А, Tj 25 °C); при Tj 150 °C типове значення 0,92 Ом. Порогова напруга Vgs(th) – 2,1–3,9 В, типово 3 В (VGS = VDS, ID = 500 мкА). Заряд затвора Qg – 45 нКл типово і 60 нКл максимум (VDD 480 В, ID 11 А, VGS 0…10 В). Вхідна ємність Ciss типово 1200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 125 Вт при TC 25 °C, Tj макс. – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. SPP11N60C3 може замінити SPP11N60CFD та 11N60CFD; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. За даними виробника, прямі заміни – SPI11N60C3 і SPA11N60C3.
Де застосовують
- Технологія Cool MOS: низький заряд затвора, висока стійкість до dv/dt, нормована лавинна енергія
Чим замінити SPP11N60C3?
За даними виробника, прямі заміни – SPI11N60C3 і SPA11N60C3. В інших випадках підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO220 з Vds не нижче 600 В та Rds(on) не гірше 0,38 Ом при VGS 10 В.
Чи можна ставити SPP11N60C3 замість SPP11N60CFD?
За назвою товару SPP11N60C3 може замінити SPP11N60CFD та 11N60CFD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що змінюється з нагріванням?
Rds(on) зростає: типово 0,34 Ом при Tj 25 °C і 0,92 Ом при Tj 150 °C (VGS 10 В, ID 7 А). Враховуйте це при розрахунку нагріву.
Документація виробника: SPP11N60C3XKSA1 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.