Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PowerPAK SO-8 |
Транзистор SI7848BDP , PowerPAK so-8
84,60 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SI7848BDP – N-канальний польовий транзистор у корпусі PowerPAK SO-8 на 40 В, 55 А при Tc 25 °C. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PowerPAK SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 40 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 55 А (TC 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 41 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Опір Rds(on) | 7.5 мОм (VGS 10 В, ID 15 А) |
| Заряд затвора Qg | 19.7 нКл (тип.; VDS 20 В, VGS 10 В, ID 10 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | PowerPAK SO-8 |
SI7848BDP – N-канальний MOSFET режиму збагачення у корпусі PowerPAK SO-8. Параметри за документом SI7848BDP-T1-E3-HXY (HXY MOSFET). Напруга стік–витік Vds – 40 В (мін., VGS 0 В, ID 250 мкА). Струм стоку Id – 55 А при Tc 25 °C і 41 А при Tc 100 °C, VGS 10 В. Опір відкритого каналу Rds(on) – 7.5 мОм при VGS 10 В, ID 15 А; при VGS 4.5 В, ID 8 А – 9 мОм. Заряд затвора Qg – 19.7 нКл (тип.) при VDS 20 В, VGS 10 В, ID 10 А. Максимальна температура переходу – 175 °C.
Нова деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при VGS 10 В, заряд затвора Qg і розпіновку корпусу. Якщо у заміни Qg помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора. Запоріжжя, Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Захист акумуляторів
- Ключ навантаження (load switch)
- Джерела безперебійного живлення
Чим замінити SI7848BDP?
Шукайте N-канальний MOSFET у тому ж корпусі з Vds не нижче 40 В, Id при VGS 10 В не менше за 55 А з розумним запасом і Rds(on) не вищим за 7.5 мОм при VGS 10 В. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Який корпус у SI7848BDP?
У назві товару – PowerPAK SO-8. Розпіновку звіряйте з платою.
Чи підходить SI7848BDP для захисту акумуляторів?
Так, це одне із застосувань. Rds(on) 7.5 мОм при VGS 10 В, ID 15 А; при VGS 4.5 В, ID 8 А – 9 мОм.
Документація виробника: SI7848BDP-T1-E3-HXY (HXY MOSFET).
Розпіновку корпусу звіряйте самостійно.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.