Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF26NM60N ( 26NM60N , ST26NM60N , ST26N60M2 ) оригінал (Заміна для STF25NM60N , STF21NM60N ), TO220F
258,50 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STF26NM60N – оригінальний N-канальний MOSFET STMicroelectronics (MDmesh II) на 600 В у корпусі TO-220FP. Для імпульсних схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 12,6 А |
| Rds(on) | 165 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Qg | 60 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 35 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Вбудований діод | є |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
STF26NM60N – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics серії MDmesh II Power MOSFET у корпусі TO-220FP. Напруга Vds – 600 В при VGS = 0 В. Струм стоку Id – 20 А при TC 25 °C і 12,6 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 165 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 10 А (тип. 135 мОм). Заряд затвора Qg – 60 нКл тип. при VDD = 480 В, ID = 20 А. Вхідна ємність Ciss типово 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В. Потужність розсіювання – 35 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є.
Оригінал, не демонтаж. За назвою товару STF26NM60N може замінити STF25NM60N і STF21NM60N; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Також деталь відома під маркуваннями 26NM60N, ST26NM60N, ST26N60M2. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, напругу Vds, струм Id, Rds(on) і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- імпульсні схеми
Чим замінити STF26NM60N?
Підбирайте транзистор з тим самим каналом і корпусом, напругою Vds не нижче 600 В, струмом Id і Rds(on) не гіршими. Порівнюйте параметри за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи може STF26NM60N замінити STF25NM60N або STF21NM60N?
За назвою товару – так. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так. Для діода в datasheet вказано ISD 20 А та trr 450 нс при ISD = 20 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 60 В, TJ = 150 °C.
Документація виробника: STF26NM60N DS11972 Rev 2 (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.