Магазин
IGBT-транзистор IRG7IC28U (600V,225A) оригінал , TO220F
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, ICE = 1,0 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 25 А (TC = 25 °C, VGE = 15 В) |
| Струм Ic при 100 °C | 12 А (TC = 100 °C, VGE = 15 В) |
| Піковий струм Irp | 225 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, шпаруватість не більше 0,02, ton = 1 мкс) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,70 В (typ, макс. 1,95 В; VGE = 15 В, ICE = 40 А, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2,2–4,7 В (VCE = VGE, ICE = 250 мкА) |
| Напруга Vge | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (typ; VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 40 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220AB Full-Pak (TO-220F) |
| Виробник | International Rectifier |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30FD оригінал , TO-247
Немає в наявності
145,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 31 А |
| Струм Ic при 100 °C | 17 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.59 В (типово, IC = 17 А, VGE = 15 В, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (типово, IC = 17 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | так (HEXFRED, ультрашвидкий) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG4PC30F оригінал (600V,31A,100W) , TO-247
Немає в наявності
163,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Струм Ic при 25 °C | 31 А |
| Струм Ic при 100 °C | 17 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.59 В (типово, IC = 17 A, VGE = 15 V, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 µA) |
| Заряд затвора Qg | 51 нКл (типово, IC = 17 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H30R1202 ( IHW30N120R2 ) , TO-247
Немає в наявності
83,19 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 1200 В (VGE = 0 V, IC = 1 mA) |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В (типово, IC = 30 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.1–6.4 В (IC = 0.7 mA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 30 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Ptot | 390 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор H20R1203 ( IHW20N120R3 ) оригінал, TO-247
Немає в наявності
206,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Resonant Switching |
| Напруга V(BR)CES | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 0,50 мА) |
| Струм IC | 40 А (TC = 25 °C); 20 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм ICpuls | 60 А |
| Напруга насичення VCEsat | 1,48 В тип., 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Пряма напруга діода VF | 1,55 В тип., 1,75 В макс. (IF = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Порогова напруга VGE(th) | 5,8 В тип. (IC = 0,50 мА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора QG | 211 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1503 пФ |
| Розсіювана потужність Ptot | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,48 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT50N322A ( 50N322A ) оригінал, TO-218
Немає в наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic (DC) | 50 А |
| Імпульсний струм Icp | 120 А (1 мс) |
| Потужність Pc | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Vce(sat) | 2.2 В (тип.), 2.8 В (макс.) при Ic = 60 А, Vge = 15 В |
| Порогова напруга Vge(off) | 3.0–6.0 В при Ic = 60 мА, Vce = 5 В |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT45F122 , TO220F
Немає в наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | GT45F122 |
| Корпус | TO-220F |
Демонтаж
IGBT-транзистор GP70N33 оригінал демонтаж б/в (заміна для FGPF70N33 ) , TO220F
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | GP70N33 |
| Корпус | TO-220F |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP07N120 ( SGP07N120 ) (1200V,16.5A,125W) , TO220
Немає в наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vce | 1200 В (VGE = 0 V, IC = 500 µA) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 16.5 А (TC = 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 7.9 А (TC = 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3.1 В (типово, IC = 8 A, VGE = 15 V, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 3–5 В (IC = 350 µA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (типово, VCC = 960 V, IC = 8 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Стійкість до КЗ | 10 мкс (VGE = 15 V, 100 V ≤ VCC ≤ 1200 V, Tj ≤ 150 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
IGBT-транзистор FGPF4633 оригінал , TO220F (Заміна для FGT313 , GT30F126 , 30F126 )
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 330 В (VGE = 0 V, IC = 250 µA) |
| Імпульсний струм колектора Ic | 300 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, D < 0.01) |
| Напруга насичення Vce(sat) (20 А) | 1.1 В (типово, IC = 20 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) (70 А) | 1.55 В (типово, IC = 70 A, VGE = 15 V, TC = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.4–4.0 В (IC = 250 µA, VCE = VGE) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (типово, VCE = 200 V, IC = 20 A, VGE = 15 V) |
| Потужність Pd | 30.5 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | 30 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGPF4536 оригінал демонтаж б/в, TO220F
Немає в наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Імпульсний струм Ic | 220 А |
| Vce(sat) (50 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 1,59 В |
| Vge(th) | 2,4–4,0 В |
| Qg | 47 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 28,4 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH60N60SFD оригінал демонтаж б/в, TO247
Немає в наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,3 / 2,9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2820 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 378 Вт (Tc 25 °C); 151 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGA25N120ANTD оригінал ( заміна для TGAN25N120ND , NGTB25N120IHLWG , 25N120IHL ) , TO-3P
Немає в наявності
249,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Імпульсний струм ICM | 90 А |
| Vce(sat) (25А/15В/25°C) | 2.0 В тип. |
| Пряма напруга діода Vf | 2.0 В тип. / 3.0 В макс. |
| Розсіювана потужність Ptot | 312 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSPF10N80 ( PF10N80 )(10A,800V)(заміна для FQPF10N70 , FQPF10N80 , HM10N80F , FIR10N80F ), TO220F
Немає в наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 800 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 10 А |
| Rds(on) | 0.68 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 5 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 45 нКл (тип., макс. 58) при Vds 640 В, Vgs 10 В, Id 10 А |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.4 В при Is 10 А, Vgs 0 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
Транзистор SUM65N20 , D2PAK
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, обмежено корпусом) | 65 А |
| Струм Id (Tc 125 °C) | 37 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 30 А) | 0.023 Ом тип., 0.030 Ом макс. |
| Заряд затвора Qg (Vds 100 В, Vgs 10 В, Id 85 А) | 90 нКл тип., 130 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 5100 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Vishay |
Транзистор STD14NM50N ( ST14NM50N ) оригінал (550V,12A,0.32R) , D-PAK(заміна для 50S500CE IPD50R500CE )
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, MDmesh II |
| Напруга Vds | 500 В (ID = 1 мА, VGS = 0 В; TC 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 8 А |
| Опір Rds(on) | 285 мОм тип., 320 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А; TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2 / 3 / 4 В мін. / тип. / макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл (VDD = 400 В, ID = 12 А, VGS 0–10 В) |
| Потужність Pd | 90 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 252 нс (ISD = 12 А, di/dt = 100 А/мкс, VDD = 60 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SP8K4 , so-8
Немає в наявності
45,59 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, два транзистори в корпусі |
| Напруга Vds | 30 В (V(BR)DSS при ID 1 мА, VGS 0 В; Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id | 9,0 А (безперервний, Ta 25 °C, на керамічній платі) |
| Опір Rds(on) | 12 мОм тип., 17 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 10 В; Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) при VGS 4,5 В | 16 мОм тип., 23 мОм макс. (ID 9,0 А, VGS 4,5 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,5 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл тип., 21 нКл макс. (VDD 15 В, VGS 5 В, ID 9,0 А) |
| Потужність Pd | 2 Вт (на керамічній платі, Ta 25 °C) |
| Макс. температура каналу | 150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор SI7848BDP , PowerPAK so-8
Немає в наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 40 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 55 А (TC 25 °C, VGS 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 41 А (TC 100 °C, VGS 10 В) |
| Опір Rds(on) | 7.5 мОм (VGS 10 В, ID 15 А) |
| Заряд затвора Qg | 19.7 нКл (тип.; VDS 20 В, VGS 10 В, ID 10 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | PowerPAK SO-8 |
Транзистор J201 , TO92
Немає в наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | JFET N-канал |
| Напруга пробою затвор–джерело V(BR)GSS | –40 В (мін.; IG –1 мА, VDS 0 В, TA 25 °C) |
| Напруга відсічки Vgs(off) | –0.3…–1.5 В (VDS 15 В, ID 10 нА, TA 25 °C) |
| Струм насичення стоку Idss | 0.2–1 мА (VDS 15 В, VGS 0 В, TA 25 °C) |
| Крутизна gfs | 0.5 мСм (мін.; VDS 15 В, VGS 0 В, f 1 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 350 мВт (TA 25 °C; спад 2,8 мВт/°C вище 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. струм затвора | 50 мА |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор IRLR024N , D-PAK
Немає в наявності
24,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 17 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір Rds(on) | 0,065 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл макс. (ID = 11 А, VDS = 44 В, VGS = 5 В) |
| Потужність Pd | 45 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
Транзистор IRLML2502 , sot23
Немає в наявності
10,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга Vds | 20 В (TA = 25 °C) |
| Струм стоку Id | 4,2 А (TA = 25 °C, постійний) |
| Опір Rds(on) | 45 мОм макс. (VGS = 4,5 В, ID = 4,2 А, TA = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0,6–1,2 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 8 нКл тип. (VDS = 10 В, VGS = 5 В, ID = 4 А) |
| Потужність Pd | 1,25 Вт (TA = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
Транзистор IRL3705N ( L3705N ) оригінал, TO220
Немає в наявності
123,14 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vdss | 55 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 89 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 63 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on), макс. | 0,010 Ом (VGS = 10 В, ID = 46 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,0 В |
| Розсіювана потужність | 170 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFS640B ( заміна для IRFS640A , IRFS630A , IRF630MFP ) , TO220F
Немає в наявності
54,99 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11,4 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,18 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 9 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS = 160 В, ID = 18 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 43 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
Транзистор IRFR9220 , D-PAK (200V;3.6A;42W;1.5 Ohm)
Немає в наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | –200 В (Vgs 0 В, Id –250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | –3.6 А (TC 25 °C, Vgs –10 В) |
| Струм Id (100 °C) | –2.3 А (TC 100 °C, Vgs –10 В) |
| Опір Rds(on) | 1.5 Ом макс. (Vgs –10 В, Id –2.2 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | –2.0…–4.0 В (Vds = Vgs, Id –250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±20 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл макс. (Vgs –10 В, Id –3.9 А, Vds –160 В) |
| Потужність Pd | 42 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Тип каналу | P |
| Вбудований діод | є (trr тип. 150 нс, макс. 300 нс) |