Магазин
Транзистор STP85NF55L ( P85NF55L , 85NF55 ) оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0) |
| Струм Id (25 °C) | 80 А (обмеження корпусом) |
| Струм Id (100 °C) | 80 А (обмеження корпусом) |
| Rds(on) | 6.0 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 40 А), макс. 8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл типово (VGS = 5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.6 В типово |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA28N50C оригінал (заміна для FQA28N50 , FQA28N50F , FDA28N50 ) , TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 28.4 А |
| Струм Id (100 °C) | 18 А |
| Rds(on) | 126 мОм типово (VGS = 10 В, ID = 14,2 А), макс. 160 мОм |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл типово |
| Вхідна ємність Ciss | 4300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність Pd | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI8260W0D оригінал ( NSI8260W0-DSWR , NSI82 60W0D , NSI8260WOD , NSI82 60WOD ), sow16
В наявності
213,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Канали | 6 від входу до виходу, 0 назад |
| Ізоляція | 5000 В rms (1 хв, UL1577) |
| Швидкість передачі даних | 150 Мбіт/с (максимум) |
| Напруга живлення VDD1, VDD2 | 2.5–5.5 В |
| Затримка поширення | 6.54 нс (типове, живлення 5 В ±10%, CL 15 пФ) |
| Робоча температура | -55…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP1806 ( P1806 ) оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 35 А |
| Опір Rds(on) | 15 мОм тип., 18 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 27,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 44.5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1530 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип. |
| Потужність розсіювання Pd | 110 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG3116D , so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Драйвер напівмоста MOSFET/IGBT |
| Виробник | EGmicro |
| Напруга VB, макс. | 600 В (гранично допустиме) |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+ / IO- | 2 / 2,5 А |
| Максимальна частота | 500 кГц |
| Логічні входи | 3,3 / 5 В |
| Корпус | SO-8 |
Трансформатор інвертора TM-08190
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Трансформатор інвертора |
| Модель | TM-08190 |
Транзистор IRFB4110 оригінал (заміна для IRFB4110G , IRFB4110P , SRT10N047H ), TO220
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C, мін.) |
| Струм ID (кристал) | 180 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (виводи) | 120 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID | 130 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 3.7 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 4.5 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Qg тип. | 150 нКл (ID = 75 А, VDS = 50 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9620 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 370 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Канал | N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST040N10N оригінал, TO220
В наявності
89,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 120 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 116 А |
| Опір Rds(on) | 3.3 мОм тип., 4,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6920 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип. |
| Потужність розсіювання Pd | 227 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема CD7388CZ оригінал (заміна для CD7388LCZ )
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Кількість каналів | 4 (BTL) |
| Вихідна потужність на канал, максимум | 41 Вт (типове, Vcc 14.4 В, f 1 кГц, RL 4 Ом, Tamb 25 °C) |
| Вихідна потужність на канал | 26 Вт (типове, THD 10%, Vcc 14.4 В, RL 4 Ом) |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (BTL, Vcc 14.4 В, f 1 кГц) |
| Струм спокою | 190 мА (типове, без навантаження, Vcc 14.4 В) |
| Напруга живлення, максимум | 18 В (Tamb 25 °C) |
| Корпус | FZIP25 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG8010 оригінал , LQFP32
В наявності
179,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | контролер SPWM-інвертора |
| Виробник | EG Micro |
| Напруга живлення | 5 (2.7–5.5) В |
| Максимальна напруга живлення | 6.5 В |
| Робоча температура | -45…85 °C |
| Частота модуляції | 23.4 кГц |
| Кварцовий резонатор | 12 МГц |
| Мертвий час | 300 нс / 500 нс / 1.0 мкс / 1.5 мкс |
| Корпус | LQFP-32 |
| Стан | Оригінал |
FHA50N50 ( 50N50 ) оригінальний транзистор (заміна для FQA50N50 , FDA50N50 ), TO-3P
В наявності
259,91 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | FeiHong |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 50 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 31 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А) | 88 мОм тип., 105 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 148 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 500 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R130HT3Z ( OSG65R130HT3ZF ) оригінал, TO247
В наявності
229,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 25 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 15,8 А |
| Опір Rds(on) | 100 мОм тип., 130 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 12,5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2451 пФ (Vds 50 В, f 100 кГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 201 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Стан | Оригінал |
Транзистор PTW28N50 оригінал (заміна для SLW28N50C , 28N50C , 28N50P ) , TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | PIP |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 28 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 18 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 14 А) | 170 мОм тип., 210 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 78 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 4280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 300 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFP4568 оригінал демонтаж(150V,171A), TO247
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм стоку Id | 171 А (Tc = 25 °C, Vgs = 10 В) |
| Опір Rds(on) типовий | 4,8 мОм (Vgs = 10 В, Id = 103 А) |
| Опір Rds(on) максимальний | 5,9 мОм (Vgs = 10 В, Id = 103 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Напруга затвор–витік Vgs | ±30 В |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вхідна ємність Ciss | 10470 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSPNR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sop-16
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ізольований двоканальний драйвер затворів |
| Виробник | NOVOSENSE |
| Кількість каналів | 2 |
| Піковий струм джерела | 4 А (на кожен канал) |
| Піковий струм стоку | 6 А (на кожен канал) |
| Ізоляція | 3.0 кВ rms (SOP16, 1 хв, UL1577) |
| Живлення VDDI | 3–5.5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 9.4–25 В (версія NSI6602B) |
| Затримка поширення | 25 нс (типове) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типове, мінімум 100) |
| Частота перемикання | до 2 МГц |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGA60N65SMD оригінал, TO-3P
В наявності
289,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А при Tc 25 °C; 60 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,9 В типово (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 600 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл типово (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSM027N08N4 ( 027N08N4 ) оригінал, DFN5*6
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 189 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 120 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 2,5 мОм тип., 3,0 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5520 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C) | 156 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW30N65F1 оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tj 25 °C) | 1,90 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 110 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1840 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd (Tj 25 °C) | 155 Вт |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Lu-semi |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STW40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (MDmesh M2) |
| Напруга Vds | 600 В (Id 1 мА, Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 34 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 22 А |
| Rds(on) | 78 мОм тип., 88 мОм макс., Vgs 10 В, Id 17 А |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGH60N60UFD оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic | 120 А при Tc 25 °C; 60 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,9 В типово (IC 60 А, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 298 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 188 нКл (VCE 400 В, IC 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGH60N60SMD оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Vce(sat) (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) | 1.9 В (тип.), 2.5 В (макс.) |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 600 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRGPS40B120UD ( GPS40B120UD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Vce(on) тип. (IC = 40 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) | 3,12 В |
| Вбудований діод | є, ультрашвидкий з м’яким відновленням |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 595 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | Super-247 |
| Виробник | International Rectifier |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 6R099 ( IPW60R099CP ) оригінал демонтаж, TO247( 650V, 31A , 0.099R )
В наявності
244,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds (мін.) | 600 В (ID = 250 мкА) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 31 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 19 А |
| Імпульсний струм Id,pulse | 93 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 18 А, Tj = 25 °C) | 0,099 Ом (макс.) |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (тип.), 80 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (VGS = 0 В, VDS = 100 В, f = 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В (статично) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 255 Вт |
| Тепловий опір Rth(j-c) (макс.) | 0,5 К/Вт |
| Тепловий опір Rth(j-a) (макс.) | 62 К/Вт |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор DXG50N65HSEU ( DXG50N65HSE , DXG50N65HS ) оригінал(Заміна для CXG50N65HSEU ), TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,45 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |