Магазин

JCS9N90FT MOSFET TO220F, фото маркування

Транзистор JCS9N90FT ( заміна для FQPF9N90CT , SVF9N90F , CS9N90F , AOTF9N90 , TF9N90 , FIR9N90F , HM9N90F ) оригінал(900V,9A), TO220F

В наявності

103,40 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vdss	900 В
Струм Id при Tc 25 °C	9 А
Струм Id при Tc 100 °C	6.0 А
Rds(on)	1.18 Ом типово, 1.35 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А, 25 °C)
Заряд затвора Qg	43 нКл (Vds 720 В, Id 9 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	2150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	36 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Макс. напруга Vgs	±30 В
Корпус	TO-220F
Тип каналу	N-канал
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP13NK60ZFP MOSFET TO-220F, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор STP13NK60ZFP оригінал демонтаж , TO-220F

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В)
Струм Id при Tc 25 °C	13 А
Струм Id при Tc 100 °C	8.2 А
Rds(on)	0.48 Ом типово, 0.55 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А)
Заряд затвора Qg	66 нКл типово, 92 нКл максимум (Vdd 480 В, Id 10 А)
Вхідна ємність Ciss	2030 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–4.5 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА)
Потужність розсіювання Pd	35 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Макс. напруга Vgs	±30 В
Ізоляція виводів від радіатора	2.5 кВ RMS, t = 1 с, Tc 25 °C
Корпус	TO-220F
Тип каналу	N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

UC3844AN ШІМ-контролер DIP8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема UC3844AN ( UC3844A ) , DIP8

В наявності

32,90 ₴

Параметр	Значення
Призначення	ШІМ-контролер струмового режиму
Частота (макс.)	до 500 кГц
Опорна напруга	5,00 В (4,90–5,10 В) при Tj = 25 °C, Io = 1 мА
Поріг вмикання UVLO	16 В
Поріг вимикання UVLO	10 В
Макс. коефіцієнт заповнення	47–50 %
Пусковий струм	0,5 мА макс.
Макс. напруга живлення	30 В
Корпус	DIP8

На канікулах до 20.11

FHP100N08 польовий транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор FHP100N08 оригінал (заміна для CJP75N80 )(80V,100A) , TO220

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	80 В
Струм Id	100 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C)
Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А	8,5 мОм макс. (типово 6,5 мОм)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	75 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss	3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

SIF20N50C MOSFET TO220F, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор SIF20N50C ( KIA20N50H , FDPF20N50 , FQPF20N50 , 20N50 ) оригінал демонтаж, TO220F(20A,500V)

В наявності

145,70 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мінімум)
Струм Id при Tc 25 °C	20 А
Струм Id при Tc 100 °C	13 А
Rds(on)	0.23 Ом типово (VGS=10 В, ID=10 А), максимум 0.26 Ом
Заряд затвора Qg	46 нКл типово (VDD=320 В, ID=20 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–5.0 В
Потужність розсіювання Pd	65 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F
Тип каналу	N-канал
Вбудований діод	є
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

Конденсатор 0,24 мкФ 1200 В MKPH, фото корпусу

Додати в обране

Конденсатор 0,24мкФ1200V MKPH (0,24mkF1200V MKPH) для індукціонки , варильної поверхні

В наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Ємність	0,24 мкФ
Напруга постійного струму	1200 В
Серія	MKPH
Діелектрик	Металізована поліпропіленова плівка (MPP)
dV/dt	500 В/мкс (максимум)
Тангенс кута втрат	≤0.0007 (20 °C, 10 кГц)
Опір ізоляції	≥30000 МОм (100 В DC, 60 с, 20 °C)
Кліматична категорія	40/105/21 (−40…+105 °C)

На канікулах до 20.11

GP19NC60KD STGP19NC60KD IGBT-транзистор TO-220, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал демонтаж б/в, TO220

В наявності

122,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vces	600 В (Vge 0 В)
Струм Ic	35 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C)
Vce(sat)	2,0 В тип. (Ic 12 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Заряд затвора Qg	55 нКл тип. (Vcc 480 В, Ic 12 А)
Вхідна ємність Cies	1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Ptot	125 Вт (Tc 25 °C)
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

HM80N075P (FIR80N075PG) MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор HM80N075P оригінал(75V,80A), TO220( FIR80N075PG )

В наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Напруга Vds	75 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	80 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	60 А
Rds(on)	6.5 мОм (тип., VGS=10 В, ID=40 А)
Заряд затвора Qg	100 нКл (тип., VDS=30 В, ID=30 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2–4 В (тип. 2.85 В, ID=250 мкА)
Потужність Pd	170 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STI3411A DC-DC перетворювач SOT23-5, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема STI3411A ( S15xxx ) , sot23-5

В наявності

15,04 ₴

Параметр	Значення
Призначення	синхронний понижувальний перетворювач
Вхідна напруга	2,5–6 В
Вихідний струм	2 А
Мінімальна вихідна напруга	0,6 В
Частота перетворення	1,0 МГц
ККД	до 96 % при Vout 3,3 В
Струм спокою	40 мкА
Корпус	SOT23-5

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Вольтметр трьохрозрядний безкорпусний 0,36″ DC 4,5V – 30V червоний

В наявності

76,61 ₴

Параметр	Значення
Розрядність	3 розряди
Розмір індикатора	0,36 дюйм
Колір індикатора	червоний
Діапазон напруги (DC)	4,5–30 В
Корпус	без корпусу

На канікулах до 20.11

TGAN30N135FD1 IGBT-транзистор TO-3P, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор TGAN30N135FD1 ( 30N135FD1 ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P(1350V,30A)

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	TRinno
Напруга Vces	1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Напруга Vges	±20 В
Струм Ic	60 А при TC = 25 °C; 30 А при TC = 100 °C
Імпульсний струм Icm	90 А
Vce(sat)	1.9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, TC = 25 °C)
Pd	329 Вт при TC = 25 °C
Вхідна ємність Cies	3570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Tj max	150 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-3P
Корпус (докладно)	TO-3P(N)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

GT30F131 IGBT-транзистор D2PAK (TO-263), фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор GT30F131 ( 30F131 ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK (TO-263)

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор
Напруга Vces	360 В
Напруга насичення Vce(sat)	1,9 В (тип.)
Корпус	D2PAK
Маркування	30F131
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

STP60NF06 (P60NF06) MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP60NF06 ( P60NF06 ) оригінал (60V,60A), TO220

В наявності

91,18 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Технологія	STripFET
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	60 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	42 А
Rds(on)	0.014 Ом (тип., VGS=10 В, ID=30 А)
Заряд затвора Qg	54 нКл (тип., VDD=30 В, ID=60 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	1660 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2–4 В (ID=250 мкА)
Потужність Pd	110 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

65S1K5CE (IPA65R1K5CE) MOSFET TO220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 65S1K5CE ( IPA65R1K5CE ) оригінал, TO220F

В наявності

202,10 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Серія	CoolMOS CE
Виробник	Infineon
Напруга Vds	650 В (VGS=0 В, ID=1 мА, мін.)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	5.2 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	3.3 А
Rds(on)	1.26 Ом (тип., VGS=10 В, ID=1 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	10.5 нКл (тип., VDD=480 В, ID=1.5 А, VGS 0–10 В)
Вхідна ємність Ciss	225 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2.5–3.5 В (ID=0.1 мА)
Потужність Pd	30 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

SVF20N50F MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор SVF20N50F оригінал, TO220F(20A,500V,0.2R)

В наявності

133,48 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (BVDSS мін., VGS=0 В, ID=250 мкА)
Струм стоку Id	20 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	12.6 А (Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	0.20 Ом тип., 0.27 Ом макс. (VGS=10 В, ID=10 А)
Заряд затвора Qg	49.5 нКл тип. (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В)
Вхідна ємність Ciss	2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	72 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор FHA28N50 ( 28N50 ) оригінал , TO-3P

В наявності

125,02 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (25 °C)	28 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	16.8 А (Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	0.14 Ом тип., 0.18 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 14 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	102 нКл тип. (Vds 400 В, Id 28 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	4085 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd	479 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор CS150N03 ( CS150N03A8 , 150N03 ) оригінал , TO220

В наявності

69,56 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	30 В
Струм стоку Id	150 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	120 А (Tc 100 °C)
Опір відкритого каналу Rds(on)	2.8 мОм тип., 3.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1.0–3.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd	100 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	10000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IRFB20N50K MOSFET TO-220, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор IRFB20N50K ( FB20N50K , 20N50 ) оригінал демонтаж , TO220 (500V,20A)

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (25 °C)	20 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	12 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C)
Rds(on)	0.21 Ом тип., 0.25 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А)
Vgs(th)	3.0–5.0 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	110 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Vds 400 В)
Вхідна ємність Ciss	2870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	280 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
trr діода	520 нс тип., 780 нс макс. (IF 20 А, dI/dt 100 А/мкс)
Корпус	TO-220
Виробник	Vishay
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

YGW40N65F1 IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор YGW40N65F1 оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vces	650 В
Струм колектора Ic (25 °C)	80 А
Струм колектора Ic (100 °C)	40 А
Напруга насичення Vce(sat)	1,80 В тип. / 2,40 В макс.
Заряд затвора Qg	90 нКл
Корпус	TO-247
Виробник	Lu-Semi
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FTP11N08A MOSFET TO-220, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор FTP11N08A демонтаж ( FTP11N08 )(75V,100A) , TO220

В наявності

72,85 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	75 В (Tj 25…175 °C)
Струм стоку Id (25 °C)	100 А (Tc 25 °C; обмежено корпусом 75 А)
Rds(on)	9.5 мОм тип., 11 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 45 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	69 нКл тип. (Vdd 37 В, Id 75 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	4541 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	230 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	175 °C
trr діода	89 нс тип., 134 нс макс. (IF 75 А, di/dt 100 А/мкс)
Корпус	TO-220
Виробник	InPower Semiconductor
Стан	Демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

SVT068R5ND MOSFET D-PAK, фото маркування 068R5ND

Додати в обране

Транзистор SVT068R5ND ( 068R5ND ) оригінал(60V,80A) , D-PAK

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	60 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (25 °C)	80 А
Струм стоку Id (100 °C)	57 А
Rds(on)	7.0 мОм тип., 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А)
Vgs(th)	2–4 В (Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	89 нКл тип. (Vdd 48 В, Vgs 10 В, Id 20 А)
Вхідна ємність Ciss	4890 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	107 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Виробник	Silan Microelectronics
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор TK39N60W ( K39N60W ) оригінал демонтаж (заміна для K39N60W5 , TK39N60W5 ) (600V,38.8A,0.055R) , TO247

В наявності

305,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Тип	MOSFET N-канал (DTMOS, super junction)
Напруга Vdss	600 В (Tc 25 °C)
Струм Id (DC)	38.8 А (Tc 25 °C)
Струм імпульсний Idp	155 А (Tc 25 °C)
Rds(on) typ	0.055 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C)
Rds(on) max	0.065 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C)
Vgs(th)	2.7–3.7 В (Vds 10 В, Id 1.9 мА)
Qg	110 нКл (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 38.8 А)
Вхідна ємність Ciss	4100 пФ
Pd	270 Вт (Tc 25 °C)
Tch max	150 °C
Vgss	±30 В
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

GW39NC60VD STGW39NC60VD IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vces	600 В
Струм колектора Ic (Tc 25 °C)	80 А
Струм колектора Ic (Tc 100 °C)	40 А
Vce(sat) (VGE 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C)	1.8 В тип., 2.4 В макс.
Заряд затвора Qg	126 нКл
Вхідна ємність Cies	2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	250 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є (ультрашвидкий)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

MAX3485EPA трансивер RS-485 DIP8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема MAX3485 ( MAX3485EPA ) , DIP8

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Призначення	приймач-передавач RS-485/RS-422
Напруга живлення	3,0–3,6 В
Швидкість передачі	10 Мбіт/с
Режим	напівдуплекс
Струм у режимі вимкнення	2 нА
Кількість трансиверів на шині	до 32
Робочий діапазон температур	від –40 до +85 °C
Корпус	DIP8

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин