Магазин
Транзистор JCS9N90FT ( заміна для FQPF9N90CT , SVF9N90F , CS9N90F , AOTF9N90 , TF9N90 , FIR9N90F , HM9N90F ) оригінал(900V,9A), TO220F
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 900 В |
| Струм Id при Tc 25 °C | 9 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 6.0 А |
| Rds(on) | 1.18 Ом типово, 1.35 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А, 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (Vds 720 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 36 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор STP13NK60ZFP оригінал демонтаж , TO-220F
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id при Tc 25 °C | 13 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 8.2 А |
| Rds(on) | 0.48 Ом типово, 0.55 Ом максимум (Vgs 10 В, Id 4.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 66 нКл типово, 92 нКл максимум (Vdd 480 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2030 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.5 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 35 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Макс. напруга Vgs | ±30 В |
| Ізоляція виводів від радіатора | 2.5 кВ RMS, t = 1 с, Tc 25 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHP100N08 оригінал (заміна для CJP75N80 )(80V,100A) , TO220
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 100 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 40 А | 8,5 мОм макс. (типово 6,5 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 3200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SIF20N50C ( KIA20N50H , FDPF20N50 , FQPF20N50 , 20N50 ) оригінал демонтаж, TO220F(20A,500V)
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мінімум) |
| Струм Id при Tc 25 °C | 20 А |
| Струм Id при Tc 100 °C | 13 А |
| Rds(on) | 0.23 Ом типово (VGS=10 В, ID=10 А), максимум 0.26 Ом |
| Заряд затвора Qg | 46 нКл типово (VDD=320 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання Pd | 65 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Тип каналу | N-канал |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал демонтаж б/в, TO220
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (Vge 0 В) |
| Струм Ic | 35 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (Ic 12 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл тип. (Vcc 480 В, Ic 12 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HM80N075P оригінал(75V,80A), TO220( FIR80N075PG )
В наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Напруга Vds | 75 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 60 А |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип., VGS=10 В, ID=40 А) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (тип., VDS=30 В, ID=30 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 2.85 В, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 170 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор TGAN30N135FD1 ( 30N135FD1 ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P(1350V,30A)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic | 60 А при TC = 25 °C; 30 А при TC = 100 °C |
| Імпульсний струм Icm | 90 А |
| Vce(sat) | 1.9 В тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, TC = 25 °C) |
| Pd | 329 Вт при TC = 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 3570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор STP60NF06 ( P60NF06 ) оригінал (60V,60A), TO220
В наявності
91,18 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Технологія | STripFET |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vds | 60 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 42 А |
| Rds(on) | 0.014 Ом (тип., VGS=10 В, ID=30 А) |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл (тип., VDD=30 В, ID=60 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1660 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 110 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65S1K5CE ( IPA65R1K5CE ) оригінал, TO220F
В наявності
202,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Серія | CoolMOS CE |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В, ID=1 мА, мін.) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 5.2 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 3.3 А |
| Rds(on) | 1.26 Ом (тип., VGS=10 В, ID=1 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 10.5 нКл (тип., VDD=480 В, ID=1.5 А, VGS 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 225 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В (ID=0.1 мА) |
| Потужність Pd | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF20N50F оригінал, TO220F(20A,500V,0.2R)
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (BVDSS мін., VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12.6 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.20 Ом тип., 0.27 Ом макс. (VGS=10 В, ID=10 А) |
| Заряд затвора Qg | 49.5 нКл тип. (VDS=400 В, ID=20 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2687.7 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 72 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA28N50 ( 28N50 ) оригінал , TO-3P
В наявності
125,02 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 28 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 16.8 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.14 Ом тип., 0.18 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 14 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 102 нКл тип. (Vds 400 В, Id 28 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4085 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 479 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS150N03 ( CS150N03A8 , 150N03 ) оригінал , TO220
В наявності
69,56 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 30 В |
| Струм стоку Id | 150 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 120 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2.8 мОм тип., 3.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0–3.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 10000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFB20N50K ( FB20N50K , 20N50 ) оригінал демонтаж , TO220 (500V,20A)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 20 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 12 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.21 Ом тип., 0.25 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 20 А, Vds 400 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| trr діода | 520 нс тип., 780 нс макс. (IF 20 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Vishay |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FTP11N08A демонтаж ( FTP11N08 )(75V,100A) , TO220
В наявності
72,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 75 В (Tj 25…175 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C; обмежено корпусом 75 А) |
| Rds(on) | 9.5 мОм тип., 11 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 45 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 69 нКл тип. (Vdd 37 В, Id 75 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4541 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| trr діода | 89 нс тип., 134 нс макс. (IF 75 А, di/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | InPower Semiconductor |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор SVT068R5ND ( 068R5ND ) оригінал(60V,80A) , D-PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 60 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 80 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 57 А |
| Rds(on) | 7.0 мОм тип., 8.5 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 89 нКл тип. (Vdd 48 В, Vgs 10 В, Id 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4890 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 107 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор TK39N60W ( K39N60W ) оригінал демонтаж (заміна для K39N60W5 , TK39N60W5 ) (600V,38.8A,0.055R) , TO247
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | MOSFET N-канал (DTMOS, super junction) |
| Напруга Vdss | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 38.8 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Idp | 155 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) typ | 0.055 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C) |
| Rds(on) max | 0.065 Ом (Vgs 10 В, Id 19.4 А, Ta 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.7–3.7 В (Vds 10 В, Id 1.9 мА) |
| Qg | 110 нКл (Vdd 400 В, Vgs 10 В, Id 38.8 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 4100 пФ |
| Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch max | 150 °C |
| Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) (VGE 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C) | 1.8 В тип., 2.4 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (ультрашвидкий) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
