Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Транзистор FP50N06 ( RFP50N06 )(Заміна для FQP50N06 , WFP50N06 , CEP50N06 , KIA50N06 , SW50N06 , SFP50N06 , FIR50N06P , HM50N06P ), TO220
53,11 ₴
77 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FP50N06 (RFP50N06) – N-канальний польовий транзистор MegaFET у корпусі TO-220 на 60 В і 50 А. Може замінити FQP50N06, WFP50N06, CEP50N06, KIA50N06, SW50N06, SFP50N06, FIR50N06P та HM50N06P.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (MegaFET) |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 60 В (TJ = 25…150 °C) |
| Струм Id | 50 А (за рис. 2 datasheet) |
| Rds(on) | 0.022 Ом макс. (ID = 50 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 131 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Температура Tj | -55…+175 °C |
FP50N06 (RFP50N06) – N-канальний MOSFET технології MegaFET виробництва onsemi (раніше Fairchild/Intersil). Напруга стік-витік Vdss – 60 В (TJ = 25…150 °C). Постійний струм стоку Id – 50 А, залежність від температури корпусу наведена на рис. 2 datasheet. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0.022 Ом при ID = 50 А, VGS = 10 В. Розсіювана потужність – 131 Вт, зниження 0.877 Вт/°C. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg(10) – 67 нКл типово при VGS = 0…10 В, VDD = 48 В, ID = 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 2020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Робочий діапазон температур переходу – від -55 до +175 °C. За даними виробника, транзистор можна керувати безпосередньо від мікросхем.
Нова деталь, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. За назвою товару FP50N06 може замінити FQP50N06, WFP50N06, CEP50N06, KIA50N06, SW50N06, SFP50N06, FIR50N06P та HM50N06P. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Де застосовують
- Імпульсні стабілізатори та перетворювачі
- Драйвери двигунів
- Драйвери реле
Що може замінити FP50N06?
За назвою товару FP50N06 може замінити FQP50N06, WFP50N06, CEP50N06, KIA50N06, SW50N06, SFP50N06, FIR50N06P та HM50N06P. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Як перевірити такий транзистор?
Мультиметром у режимі перевірки діода перевірте вбудований діод між стоком і витоком та відсутність пробою між затвором і іншими виводами.
Чи можна керувати FP50N06 напряму від мікросхеми?
За даними виробника, технологія MegaFET дозволяє керувати транзистором безпосередньо від мікросхем. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VGS = VDS, ID = 250 мкА.
Документація виробника: RFP50N06 MOSFET – Power, N-Channel 60 V, 50 A, 22 mΩ, Rev. 2.
Datasheet виробника знайдено; незалежного другого джерела немає, параметри замінників з назви не перевірялись.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема TL494CN оригінал ( заміна для TL494L , DBL494 , KIA494 ) , DIP16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсних блоків живлення |
| Корпус | DIP16 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N), 16 виводів |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 7–40 В |
| Напруга живлення Vcc (абс. максимум) | 41 В |
| Напруга колектора вихідного транзистора (рекомендована) | 40 В |
| Струм колектора вихідного транзистора (рекомендований) | 200 мА |
| Частота генератора | 1–300 кГц |
| Опорна напруга REF | 5 В (4,75–5,25 В) при Io = 1 мА, TA = 25 °C |
| Точність опорної напруги | 5 % |
| Робочий діапазон температур | 0…70 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TIP42C (p-n-p,100V,6A,65W) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -100 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -100 В (TC 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (DC) | -6 А (TC 25 °C) |
| Струм Icp імпульсний | -10 А (TC 25 °C) |
| Потужність Pc | 65 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | мін. 30 при Vce -4 В, Ic -0,3 А |
| Vce(sat) | -1,5 В макс. при Ic -6 А, Ib -600 мА |
| Корпус | TO-220 |
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.