Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор SI2302DS (A2SHB) ,sot23
5,64 ₴
4996 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SI2302DS (A2SHB) – польовий N-канальний транзистор у корпусі SOT-23 для комутації навантаження.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOT-23 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (enhancement) |
| Напруга Vds (Ta = 25 °C) | 20 В |
| Струм Id (Ta = 25 °C) | 2,8 А |
| Струм Id (Ta = 70 °C) | 2,2 А |
| Rds(on) (VGS = 4,5 В, ID = 3,6 А) | 45 мОм тип., 85 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS = 2,5 В, ID = 3,1 А) | 70 мОм тип., 115 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0,62 В мін., 0,95 В тип., 1,9 В макс. |
| Потужність Pd (Ta = 25 °C) | 1,25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 300 пФ |
| Напруга Vgs | ±8 В |
| Корпус | SOT-23 |
SI2302DS (A2SHB, KI2302DS) – N-канальний польовий транзистор (enhancement) у корпусі SOT-23. Параметри наведено за даташитом Kexin Semiconductor на номер SI2302DS. Напруга стік–витік Vds становить 20 В при Ta = 25 °C. Струм стоку Id – 2,8 А при Ta = 25 °C і 2,2 А при Ta = 70 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 45 мОм (тип.) і 85 мОм (макс.) при VGS = 4,5 В, ID = 3,6 А; при VGS = 2,5 В, ID = 3,1 А – 70 мОм (тип.) і 115 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) – від 0,62 до 1,9 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Вхідна ємність Ciss типово 300 пФ. Потужність розсіювання Pd – 1,25 Вт при Ta = 25 °C. Напруга затвор–витік Vgs – ±8 В.
Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу (потрібен N-канал), Vds, Id та Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, а також корпус SOT-23 і розпіновку. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Чим замінити SI2302DS?
Замінник має бути N-канальним, в корпусі SOT-23, з Vds не менше 20 В, Id порівнянним із 2,8 А та Rds(on) не вище за 85 мОм при VGS = 4,5 В.
Чи можна керувати SI2302DS від логіки?
Rds(on) нормується вже при VGS = 2,5 В (70 мОм тип., 115 мОм макс. при ID = 3,1 А). Напруга Vgs не повинна перевищувати ±8 В.
Яке маркування на корпусі?
За даташитом маркування A2; у назві товару вказано також A2SHB.
Що купують разом із SI2302DS?
У замовленнях разом із цією деталлю зустрічалися мікросхема MIX2018A та транзистор IRF840.
Документація виробника: SI2302DS (Kexin Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор IRF840 ( IRF840A ) оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В) | 8.0 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В) | 5.1 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, Product Summary) | 0.85 Ом |
| Заряд затвора Qg макс. (VGS 10 В) | 63 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C) | 125 Вт |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Vgs(th) (VDS = VGS, ID 250 мкА) | 2.0–4.0 В |
| Температура Tj і Tstg | від −55 до 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 65SL099A ( AP65SL099AWL ) оригінал демонтаж, TO247( 700V, 38A )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 650 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 38 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Опір Rds(on) макс. | 99 мОм (Vgs 10 В, Id 12.8 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 103 нКл (тип., Id 12.8 А, Vds 480 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4515 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–5 В (Id 250 мкА) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.