Магазин

IRFR9120N MOSFET P-канал D-Pak, фото маркування

Транзистор IRFR9120N ( IRFU9120N ), D-PAK (100V;5.6A;0.6 Ohm)

В наявності

24,44 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал, HEXFET
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vdss	-100 В (Vgs 0 В, Id -250 мкА)
Струм стоку Id	-6.6 А (Tc 25 °C, Vgs -10 В); -4.2 А (Tc 100 °C, Vgs -10 В)
Імпульсний струм Idm	-26 А
Опір Rds(on)	0.48 Ом max (Vgs -10 В, Id -3.9 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	27 нКл max (Id -4.0 А, Vds -80 В, Vgs -10 В)
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-252 (D-PAK)

На канікулах до 20.11

Електролітичний конденсатор 560 мкФ 450 В 105 °C, 30×50 мм, фото

Додати в обране

Електролітичний конденсатор 560uF 450V 105C ( 560мкФ 450В 105град , 560450105гр ) жорсткі виводи 30*50мм

В наявності

423,00 ₴

Параметр	Значення
Ємність	560 мкФ
Робоча напруга	450 В
Максимальна температура	105 °C
Розмір (Ø×L)	30×50 мм
Виводи	жорсткі
Корпус	радіальний

На канікулах до 20.11

CS20N65F MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CS20N65F оригінал ( Заміна для FQPF20N65C , FQPF20N65 , CM20N65F , PY20N65NFS , SIF20N65Z , 20N65NFS , STF20N65M2 , F20N65M2 , 20N65 ) , TO220F

В наявності

64,86 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Convert Semiconductor
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	650 В (Tc 25 °C, Vgs 0)
Струм Id	20 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	0.35 Ом тип. / 0.4 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А)
Заряд затвора Qg	80 нКл тип. (Vdd 520 В, Id 20 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор TK10P60W (n-канал , 600V,10A,0.33R) ,D-PAK(Заміна для TK10P50W )

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В
Струм Id (Ta 25 °C)	9.7 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 4.9 А)	0.327 Ом тип., 0.43 Ом макс.
Поріг Vgs(th)	2.7–3.7 В
Заряд затвора Qg	20 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	700 пФ
Потужність Pd (Tc 25 °C)	80 Вт
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Виробник	Toshiba

На канікулах до 20.11

SVF12N65F MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор SVF12N65F оригінал ( заміна для FQPF12N65 , MDF12N65B , TF12N65 , GN12N65F , PFP12N65 , PFF12N65 , 12N65FA9K , CR12N65FA9K , SIF12N65F , UTC12N65L, 12N65L ) , TO220F

В наявності

122,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	650 В
Струм Id (Tc 25 °C)	12 А
Струм Id (Tc 100 °C)	7.6 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 6.0 А)	0.64 Ом тип., 0.8 Ом макс.
Поріг Vgs(th)	2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg	33 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	1390 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	51 Вт
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	Silan Microelectronics
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор SUM45N25 оригінал (250V,45A), D2PAK

В наявності

60,16 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	250 В (Vgs 0, Id 250 мкА)
Струм Id	45 А (Vgs 10 В; при Vgs 6 В – 43 А)
Опір Rds(on)	0.047 Ом (тип.), 0.058 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Поріг Vgs(th)	2–4 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Заряд затвора Qg	95 нКл (тип.), 140 нКл (макс.) при Vds 125 В, Vgs 10 В, Id 45 А
Вхідна ємність Ciss	5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.	175 °C
Корпус	D2PAK
Виробник	Vishay
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор SUD50N024 ( 50N024 ) оригінал, DPAK (22V, 80A ,6mR)

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	22 В
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	49 А (корпус обмежує до 25 А)
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 20 А)	0,0095 Ом (макс.)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	39,5 Вт
Поріг Vgs(th)	0,8–3,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (VDS = 10 В, f = 1 МГц)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Виробник	Vishay
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STW26NM60N MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор STW26NM60N ( STW26NM60 , 26NM60N , W26NM60 , ST26NM60N , W26NM60N ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

158,39 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N (MDmesh II)
Напруга Vds	600 В
Струм Id (Tc 25 °C)	20 А
Струм Id (Tc 100 °C)	12.6 А
Опір Rds(on)	135 мОм (тип.), 165 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Поріг Vgs(th)	2–4 В (тип. 3) при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Заряд затвора Qg	60 нКл при Vdd 480 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В
Вхідна ємність Ciss	1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	140 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

STW20NK50Z MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор STW20NK50Z ( W20NK50Z ) оригінал демонтаж (500V,20A) , TO247

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Vds	500 В (Tj 25 °C)
Id (25 °C)	20 А (Tc 25 °C)
Id (100 °C)	12.6 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0.23 Ом тип., 0.27 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 8.5 А)
Vgs(th)	3–4.5 В (Vds = Vgs, Id 100 мкА)
Pd	190 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

STW12NK90Z MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор STW12NK90Z оригінал демонтаж, TO247(Заміна для HM12N80M , 12N80M , STW10NK80Z )

В наявності

122,20 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Vds	900 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА)
Id (25 °C)	11 А (TC = 25 °C)
Id (100 °C)	7 А (TC = 100 °C)
Rds(on)	670 мОм тип., 880 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 5.5 А)
Qg	113 нКл тип. (VDD = 720 В, ID = 10 А)
Вхідна ємність Ciss	3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd	230 Вт (TC = 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

STU407DH складання MOSFET N+P D-PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STU407DH ( STU407D ) (40V,16A/12A,11W) , D-PAK

В наявності

70,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналів	N + P (комплементарна пара)
Vds, N-канал	40 В (TA = 25 °C)
Vds, P-канал	-40 В (TA = 25 °C)
Id, N-канал	16 А (TC = 25 °C)
Id, P-канал	-12 А (TC = 25 °C)
Rds(on), N-канал	21 мОм тип., 29 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Pd	11 Вт (TC = 25 °C)
Корпус	TO-252-4L
Виробник	SamHop Microelectronics

На канікулах до 20.11

STQ1NK60ZR (1NK60ZR) MOSFET TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STQ1NK60ZR (1NK60ZR) , TO-92

В наявності

34,78 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Корпус	TO-92
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА)
Струм Id	0.3 А при TL = 25 °C; 0.2 А при TL = 100 °C
Rds(on)	11 Ом тип., 15 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0.3 А)
Заряд затвора Qg	4.9 нКл тип., 6.9 нКл макс. (VDD = 480 В, ID = 0.8 А, VGS = 0–10 В)
Вхідна ємність Ciss	94 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	3–4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА)
Потужність Pd	3 Вт при TL = 25 °C
Tj макс.	150 °C

На канікулах до 20.11

STP9NK50ZFP MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP9NK50ZFP оригінал , TO-220F

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0)
Струм Id (25 °C)	7,2 А (TC = 25 °C)
Струм Id (100 °C)	4,5 А (TC = 100 °C)
Імпульсний струм Idm	28,8 А
Опір Rds(on)	0,72 Ом тип., 0,85 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 3,6 А)
Потужність Pd	30 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	910 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±30 В
Ізоляція Viso	2500 В (DC)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP7NK80ZFP MOSFET TO-220FP, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP7NK80ZFP оригінал (800V,7A)

В наявності

88,83 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	800 В (Vgs = 0)
Струм Id (TC = 25 °C)	5,2 А
Струм Id (TC = 100 °C)	3,3 А
Імпульсний струм Idm	20,8 А
Опір Rds(on)	1,5 Ом тип., 1,8 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 2,6 А)
Заряд затвора Qg	40 нКл тип., 56 нКл макс. (Vdd = 640 В, Id = 5,2 А, Vgs = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1138 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3 / 3,75 / 4,5 В (мін. / тип. / макс.) при Vds = Vgs, Id = 100 мкА
Напруга Vgs	±30 В
Потужність Pd (TC = 25 °C)	30 Вт
Тепловий опір перехід–корпус (макс.)	4,2 °C/Вт
Ізоляція Viso	2500 В (RMS), t = 1 с, TC = 25 °C
ESD затвор-витік	4000 В (HBM)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP75NF75 MOSFET TO-220, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор STP75NF75 ( P75NF75 ) оригінал демонтаж, TO220

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	75 В (Vgs = 0)
Струм Id (25 °C)	80 А (обмежено корпусом)
Струм Id (100 °C)	70 А
Опір Rds(on)	0,0095 Ом тип., 0,011 Ом макс. (Vgs = 10 В, Id = 40 А)
Заряд затвора Qg	117 нКл тип., 160 нКл макс. (Vdd = 60 В, Id = 80 А, Vgs = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор CS6N90F оригінал ( заміна для STP6NK90ZFP , FQPF6N90C , STF6N90K5 , 6N90K5 , JCS6N90FH , JCS6N90FA , SSS5N90 )(900V,6A), TO220F

В наявності

83,19 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Convert Semiconductor
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	900 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id	6 А при TC = 25 °C
Rds(on)	1.7 Ом тип., 2.05 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3.0 А, TJ = 25 °C)
Заряд затвора Qg	48 нКл тип. (VDD = 720 В, ID = 6.0 А, VGS = 15 В)
Вхідна ємність Ciss	1215 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	3.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Потужність Pd	63 Вт при TC = 25 °C, корпус TO-220F
Tj макс.	150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP5NK60ZFP MOSFET TO-220FP, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP5NK60ZFP оригінал

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА)
Струм Id	5 А при TC = 25 °C; 3.16 А при TC = 100 °C
Rds(on)	1.2 Ом тип., 1.6 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2.5 А)
Заряд затвора Qg	26 нКл тип., 34 нКл макс. (VDD = 400 В, ID = 5 А, VGS = 0–10 В)
Вхідна ємність Ciss	690 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	3.0–4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА)
Потужність Pd	25 Вт при TC = 25 °C
Tj макс.	150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP55NF06 MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP55NF06 оригінал (60V,50A,0.017R) , TO220

В наявності

75,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	60 В (Vgs 0 В)
Струм Id	50 А (Tc 25 °C), 35 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0.015 Ом тип., 0.018 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 27.5 А)
Заряд затвора Qg	44.5 нКл тип., 60 нКл макс. (Vdd 48 В, Id 55 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2–4 В (Id 250 мкА)
Потужність Pd	110 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP4NK60ZFP MOSFET TO-220FP, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP4NK60ZFP оригінал (600V 4A 25W) ( 2D0N60F , FQPF2N60C )

В наявності

37,60 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	600 В (Vgs 0 В)
Струм Id	4 А (Tc 25 °C), 2.5 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	1.7 Ом тип., 2 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2 А)
Заряд затвора Qg	18.8 нКл тип., 26 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 4 А, Vgs 0–10 В)
Вхідна ємність Ciss	510 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	3–4.5 В (Id 50 мкА)
Потужність Pd	25 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP3NC60FP MOSFET TO-220FP, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP3NC60FP оригінал , TO220F

В наявності

26,32 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	600 В (Vgs 0 В)
Струм Id	2 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	3.3 Ом тип., 3.6 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 1.5 А)
Заряд затвора Qg	13 нКл тип., 18.2 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 3 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	2–4 В (Id 250 мкА)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP24NF10 MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP24NF10 оригінал (100V,24A,85W)

В наявності

45,59 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	26 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	18 А
Опір Rds(on)	55 мОм тип., 60 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 12 А)
Заряд затвора Qg	30 нКл тип., 41 нКл макс. (Vdd 80 В, Id 24 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	870 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	85 Вт
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP14NK60ZFP транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP14NK60ZFP оригінал, TO-220F

В наявності

128,31 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	600 В (ID = 1 мА, VGS = 0, мін.)
Струм Id (TC = 25 °C)	13.5 А
Струм Id (TC = 100 °C)	8.5 А
Rds(on)	0.45 Ом тип., 0.5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А)
Заряд затвора Qg	75 нКл (VDD = 480 В, ID = 12 А, VGS = 10 В)
Vgs(th)	3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 100 мкА)
Напруга Vgs	±30 В (абсолютний максимум)
Потужність Pd	40 Вт (TC = 25 °C)
Ізоляція Viso	2500 В (RMS)
Ємність Ciss	2220 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0)
Корпус	TO-220F
Корпус (докладно)	TO-220FP (у назві товару: TO-220F)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP10NK80ZFP транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP10NK80ZFP , TO-220F (Заміна для STP5NK80ZFP )

В наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	800 В (ID = 1 мА, VGS = 0, мін.)
Струм Id (TC = 25 °C)	9 А
Струм Id (TC = 100 °C)	6 А
Rds(on)	0.78 Ом тип., 0.9 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А)
Заряд затвора Qg	72 нКл (VDD = 640 В, ID = 9 А, VGS = 10 В)
Vgs(th)	3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 100 мкА)
Напруга Vgs	±30 В (абсолютний максимум)
Потужність Pd	40 Вт (TC = 25 °C)
Ізоляція Viso	2500 В (DC)
Ємність Ciss	2180 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0)
Корпус	TO-220F
Корпус (докладно)	TO-220FP (у назві товару: TO-220F)

На канікулах до 20.11

STP10NK60ZFP транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP10NK60ZFP оригінал, TO-220F(заміна для STP9NK60ZFP )

В наявності

64,39 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vds	600 В (ID = 250 мкА, VGS = 0, мін.)
Струм Id (TC = 25 °C)	10 А
Струм Id (TC = 100 °C)	5.7 А
Rds(on)	0.65 Ом тип., 0.75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А)
Заряд затвора Qg	50 нКл тип., 70 нКл макс. (VDD = 480 В, ID = 8 А, VGS = 10 В)
Vgs(th)	3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Напруга Vgs	±30 В (абсолютний максимум)
Потужність Pd	35 Вт (TC = 25 °C)
Ізоляція Viso	2500 В
Ємність Ciss	1370 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0)
Корпус	TO-220F
Корпус (докладно)	TO-220FP (у назві товару: TO-220F)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин