Магазин

STP10NK60Z MOSFET TO-220, фото маркування

Транзистор STP10NK60Z ( P10NK60Z ) оригінал ( заміна для FDP10N60NZ , BUZ91A , BUZ91 ), TO-220

В наявності

86,48 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	5.7 А
Опір Rds(on)	0.68 Ом тип., 0.75 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 4.5 А)
Заряд затвора Qg	48 нКл тип., 70 нКл макс. (Vdd 480 В, Id 8 А, Vgs 0–10 В)
Вхідна ємність Ciss	1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	3.00–4.50 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Потужність Pd (Tc 25 °C)	115 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал

STN4NF20L MOSFET SOT-223, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STN4NF20L ( 4NF20L ) оригінал ( заміна для MDHT4N20Y ) , sot223

В наявності

94,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vdss	200 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	1 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)	0.63 А
Опір Rds(on)	1.5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,5 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1–3 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА)
Потужність Ptot (TC = 25 °C)	3.3 Вт
Вхідна ємність Ciss	150 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура переходу	-55…150 °C
Корпус	SOT-223
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал

STN1NK60Z транзистор SOT-223, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STN1NK60Z , sot223

В наявності

23,03 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (TA = 25 °C)	0.3 А
Струм стоку Id (TA = 100 °C)	0.2 А
Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.3 А, макс.)	15 Ом
Порогова напруга Vgs(th)	3–4.5 В
Заряд затвора Qg (тип.)	4.9 нКл
Вхідна ємність Ciss	94 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Ptot (TA = 25 °C)	3.3 Вт
Корпус	SOT-223

STM8309 здвоєний транзистор SO-8, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STM8309 (30V,7A,-6A,2W) , so-8

В наявності

47,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	SamHop
Тип каналу	N + P (дві окремі секції)
Напруга Vds	30 В (N) / -30 В (P)
Струм стоку Id (TJ = 25 °C)	7 А (N) / -6 А (P)
Опір Rds(on) N-канал (VGS = 10 В, ID = 7 А, макс.)	23 мОм
Опір Rds(on) P-канал (VGS = -10 В, ID = -5 А, макс.)	35 мОм
Порогова напруга Vgs(th) N-канал	1.0–3.0 В
Заряд затвора Qg N-канал (тип.)	11 нКл
Заряд затвора Qg P-канал (тип.)	15 нКл
Потужність Pd (TA = 25 °C)	2.0 Вт
Корпус	SO-8

SPW20N60S5 транзистор TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор SPW20N60S5 ( 20N60S5 ) оригінал (заміна для K20N60W , TK20N60W ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

159,80 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	20 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)	13 А
Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 13 А, макс.)	0.19 Ом
Порогова напруга Vgs(th)	3.5–5.5 В
Заряд затвора Qg (VDD = 350 В, ID = 20 А, тип.)	79 нКл
Вхідна ємність Ciss	3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Ptot (TC = 25 °C)	208 Вт
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

SPP20N60C3 MOSFET TO220, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор SPP20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж (650V,20.7A) , TO220(Заміна для SPP20N60CFD , 20N60CFD )

В наявності

155,10 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET (CoolMOS)
Виробник	Infineon
Корпус	TO-220
Vds	650 В (при Tj max)
V(BR)DSS	600 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Id при 25 °C	20.7 А (Tc = 25 °C)
Id при 100 °C	13.1 А (Tc = 100 °C)
Rds(on)	0.19 Ом макс., тип. 0,16 Ом (Vgs 10 В, Id 13,1 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2.1–3.9 В (Id 1000 мкА, Vgs = Vds)
Потужність Ptot	208 Вт (Tc = 25 °C)
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

Додати в обране

Транзистор SP8M3 (30V,5A,-4.5A,2W) , so-8

В наявності

44,65 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	один N-канал і один P-канал в одному корпусі
Виробник	ROHM
Корпус	SO-8
Vds N-канал	30 В (Ta = 25 °C)
Vds P-канал	–30 В (Ta = 25 °C)
Id N-канал	5,0 А (Ta = 25 °C)
Id P-канал	–4,5 А (Ta = 25 °C)
Rds(on) N-канал	36 мОм (тип.), 51 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 5,0 А
Rds(on) P-канал	40 мОм (тип.), 56 мОм (макс.) при Vgs –10 В, Id –4,5 А
Vgs(th) N-канал	1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Vgs(th) P-канал	–1,0…–2,5 В (Vds –10 В, Id –1 мА)
Потужність Pd	2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі)
Vgs	±20 В
Температура каналу	150 °C

SP8K3 здвоєний MOSFET SO-8, фото маркування

Додати в обране

Транзистор SP8K3 , so-8

В наявності

56,40 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	два N-канальні MOSFET в одному корпусі
Виробник	ROHM
Корпус	SO-8
Напруга Vds	30 В (Ta = 25 °C)
Струм Id	7,0 А на транзистор (Ta = 25 °C)
Імпульсний струм	28 А (Pw ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %)
Rds(on) при Vgs 10 В	17 мОм (тип.), 24 мОм (макс.)
Rds(on) при Vgs 4,5 В	23 мОм (тип.), 33 мОм (макс.)
Vgs(th)	1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd	2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі)
Вхідна ємність Ciss	600 пФ
Vgs	±20 В
Температура каналу	150 °C

SI2302DS N-канальний MOSFET SOT-23, фото маркування

Додати в обране

Транзистор SI2302DS (A2SHB) ,sot23

В наявності

5,64 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал (enhancement)
Напруга Vds (Ta = 25 °C)	20 В
Струм Id (Ta = 25 °C)	2,8 А
Струм Id (Ta = 70 °C)	2,2 А
Rds(on) (VGS = 4,5 В, ID = 3,6 А)	45 мОм тип., 85 мОм макс.
Rds(on) (VGS = 2,5 В, ID = 3,1 А)	70 мОм тип., 115 мОм макс.
Порогова напруга Vgs(th)	0,62 В мін., 0,95 В тип., 1,9 В макс.
Потужність Pd (Ta = 25 °C)	1,25 Вт
Вхідна ємність Ciss	300 пФ
Напруга Vgs	±8 В
Корпус	SOT-23

SI2301DS P-канальний MOSFET SOT-23, фото маркування

Додати в обране

Транзистор SI2301DS (A1SHB) ,sot23

В наявності

5,64 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	Vishay (Siliconix)
Тип каналу	P-канал
Напруга Vds (TA = 25 °C)	–20 В
Струм Id (TA = 25 °C, TJ = 150 °C)	–2,3 А
Струм Id (TA = 70 °C, TJ = 150 °C)	–1,5 А
Rds(on) (VGS = –4,5 В, ID = –2,8 А)	0,105 Ом тип., 0,130 Ом макс.
Rds(on) (VGS = –2,5 В, ID = –2,0 А)	0,145 Ом тип., 0,190 Ом макс.
Потужність Pd (TA = 25 °C)	1,25 Вт
Вхідна ємність Ciss	415 пФ (f 1 МГц)
Напруга Vgs	±8 В
Корпус	SOT-23

P3055LDG N-канальний MOSFET TO-252, фото маркування

Додати в обране

Транзистор P3055LDG ( P3055LD ) оригінал, D-PAK

В наявності

31,96 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	UNIKC
Тип каналу	N-канал, логічний рівень (enhancement)
Напруга Vds	25 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм Id (TC = 25 °C)	12 А
Струм Id (TC = 100 °C)	8 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 12 А)	50 мОм тип., 90 мОм макс.
Rds(on) (VGS = 5 В, ID = 12 А)	70 мОм тип., 120 мОм макс.
Потужність Pd (TC = 25 °C)	48 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Заряд затвора Qg	15 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	450 пФ (Vds 15 В)
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

P2103NVG комплементарна пара MOSFET SO-8, фото маркування

Додати в обране

Транзистор P2103NVG (30V,7A,-6A,2W) , so-8

В наявності

75,20 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	NIKO-SEM
Тип каналу	N + P канал
Напруга Vds	30 / -30 В
Струм Id (Ta 25 °C)	8 / -6 А
Струм Id (Ta 70 °C)	6 / -5 А
Rds(on) (макс.; N: Vgs = 10 В, Id = 7 А; P: Vgs = -10 В, Id = -6 А)	21 / 34 мОм
Vgs(th)	1–2.5 / -1…-2.5 В
Qg	16 / 21 нКл
Pd (Ta 25 °C)	2 Вт
Tj макс.	150 °C
Корпус	SO-8

Додати в обране

Транзистор P0903BDL ( P0903BD , P0903BDG ) оригінал, D-PAK

В наявності

23,50 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	30 В
Струм Id (Tj 175 °C)	80 А
Rds(on) Vgs 10 В	5 мОм
Rds(on) Vgs 4.5 В	6 мОм
Vgs(th)	1.0–2.5 В
Qg	31 нКл
Вхідна ємність Ciss	2201 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Pd (Tc 25 °C)	205 Вт
Tj макс.	175 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

ME4946 здвоєний MOSFET SOP-8, фото маркування

Додати в обране

Транзистор ME4946, so-8

В наявності

36,19 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	Matsuki
Тип каналу	2 × N-канал
Напруга Vds	60 В
Струм Id (Ta 25 °C)	5 А
Струм Id (Ta 70 °C)	4 А
Rds(on) Vgs 10 В	41 мОм
Rds(on) Vgs 4.5 В	52 мОм
Vgs(th)	1.0–3.0 В
Qg	22 нКл
Вхідна ємність Ciss	940 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd (Ta 25 °C)	1.6 Вт
Tj макс.	150 °C
Корпус	SO-8

ME15N10 транзистор D-PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор ME15N10 ( ME15N10-G , 15N10L ) оригінал, D-PAK

В наявності

37,60 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	Matsuki
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Напруга Vds	100 В
Струм Id	14.7 А (Tc 25 °C); 13.6 А (Tc 70 °C)
Rds(on)	100 мОм макс., 80 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 8 А)
Vgs(th)	1–3 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Qg	24 нКл (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 10 А)
Вхідна ємність Ciss	882 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Pd	34.7 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Стан	Оригінал

MDF11N65B транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор MDF11N65B оригінал ( MDF11N65BTH , 11N65 )( заміна для MMF65R600Q , 65R600Q , SMK0965G , SMK0965F , FQPF11N40C ) , TO220F

В наявності

94,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	MagnaChip
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-220F
Напруга Vds	650 В (Ta 25 °C)
Струм Id	12 А (Tc 25 °C); 7.7 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0.65 Ом макс., 0.55 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C)
Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Qg	31 нКл тип. (Vds 520 В, Id 12 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd	49.6 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Стан	Оригінал

MDD5N40 транзистор D-PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор MDD5N40 ( D5N40 , MDD5N40RH , MDIS5N40 ) оригінал, D-PAK

В наявності

94,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	MagnaChip
Тип	MOSFET N-канал
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Напруга Vdss	400 В (Ta 25 °C)
Струм Id	3,4 А (Tc 25 °C); 2,15 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	1,2 Ом тип., до 1,6 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 1,7 А)
Vgs(th)	3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Pd	45 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.	150 °C
Стан	Оригінал

Додати в обране

Транзистор KF9N25D ( KF9N25 ) оригінал ( заміна для FQD9N25 , TK8P25DA ) , D-PAK

В наявності

117,50 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	KEC
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	250 В (Ta 25 °C)
Струм Id	7,5 А (Tc 25 °C), 4,74 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0,31 Ом тип., до 0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3,75 А)
Vth	2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg	14,5 нКл тип. (Vds 200 В, Id 9 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss	560 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	54,3 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

SVF7N60F MOSFET TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F

В наявності

56,40 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Hangzhou Silan Microelectronics
Напруга Vds	600 В (TC 25 °C)
Струм Id (25 °C)	7,0 А
Струм Id (100 °C)	4,0 А
Rds(on)	0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А)
Vgs(th)	2,0–4,0 В
Pd	45 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

IXFH26N50Q MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор IXFH26N50Q ( IXFH26N50 ) оригінал демонтаж(500V,26A,0.23R) , TO247

В наявності

282,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Виробник	IXYS
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	500 В (Tj 25…150 °C)
Струм Id25	26 А (Tc 25 °C)
Rds(on)	0,20 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5·Id25, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 4 мА)
Заряд затвора Qg(on)	95 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	3900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	300 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Час відновлення діода trr	250 нс макс.
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRLZ44N MOSFET TO-220AB, фото маркування

Додати в обране

Транзистор IRLZ44N оригінал (55V,47A,110W) , TO220

В наявності

69,09 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал, logic-level (HEXFET)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	TO-220
Напруга Vds	55 В (VGS = 0 V, ID = 250 µA)
Струм стоку Id	47 А (TC = 25 °C, VGS = 10 V)
Струм стоку Id (100 °C)	33 А (TC = 100 °C, VGS = 10 V)
Rds(on) при 10 В	0.022 Ом (VGS = 10 V, ID = 25 A)
Rds(on) при 5.0 В	0.025 Ом (VGS = 5.0 V, ID = 25 A)
Rds(on) при 4.0 В	0.035 Ом (VGS = 4.0 V, ID = 21 A)
Vgs(th)	1.0–2.0 В (VDS = VGS, ID = 250 µA)
Розсіювана потужність Pd	110 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±16 В (максимум)
Температура переходу Tj	-55…+175 °C
Стан	Оригінал

Додати в обране

Транзистор IRLR7833 , D-PAK

В наявності

47,00 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET
Напруга Vdss	30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм Id	140 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (TC = 100 °C)	99 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм Idm	560 А
Rds(on)	4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 15 А, макс.)
Qg	50 нКл (VDS = 16 В, VGS = 4,5 В, ID = 12 А, макс.)
Вхідна ємність Ciss	4010 пФ
Vgs(th)	1,4–2,3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Pd	140 Вт (TC = 25 °C)
Корпус	TO-252 (D-PAK)

Додати в обране

Транзистор IRLR3410 , D-PAK

В наявності

32,90 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, логічний рівень керування затвором
Напруга Vdss	100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм Id	17 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (TC = 100 °C)	12 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм Idm	60 А
Rds(on)	0,105 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А, макс.)
Qg	34 нКл (ID = 9 А, VDS = 80 В, VGS = 5 В, макс.)
Вхідна ємність Ciss	800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Pd	79 Вт (TC = 25 °C)
Корпус	TO-252 (D-PAK)

Додати в обране

Транзистор IRLR2905 оригінал ( LR2905 ), D-PAK

В наявності

103,40 ₴

На канікулах до 20.11

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, логічний рівень керування затвором
Напруга Vdss	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм Id	42 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм Id (TC = 100 °C)	30 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм Idm	160 А
Rds(on)	0,027 Ом (VGS = 10 В, ID = 25 А, макс.)
Qg	48 нКл (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 5 В, макс.)
Вхідна ємність Ciss	1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)	1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Pd	110 Вт (TC = 25 °C)
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Стан	Оригінал

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин